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合理的配方和工艺是控制材料的化学成分和微观结构，获取优良的宏观物理性能的关键。而ZnO压敏陶瓷实验配方的设计是晶粒能否低压化的关键技术之一，各种元素的添加和量的控制直接影响材料的显微结构和晶界特性，进而决定压敏性能。ZnO本身的电性质对本征缺陷,尤其是对氧空位和锌填隙比较敏感,掺杂在压敏特性的形成过程中，影响烧结时晶粒的生长、液相在冷却时的去润湿作用以及陶瓷的电子缺陷态。到目前为止，人们对低压化及掺杂改性方面己经作了很多研究工作，得到了许多有价值的结果，如Co、Mn

、Sb等可改善非线性指数，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒绝缘和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善稳定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大电流非线性指数(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生长，Be、Ti、Sn则可促进晶粒生长。

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为了观察烧结成品晶粒生长情况，气孔率，致密性等，分析元素的掺杂等对成品性能的影响，对制得的ZnO陶瓷成品断口进行观测。样品1与样品2相比较小且大小不等、杂乱无章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈现多样性生长趋势。(3)ZnO主晶相之间存在较多存在孔洞、缝隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸为10

～15um，且小尺寸晶粒数量大量减少，尺寸生长比较均匀；(2)晶粒形貌大多呈现正多边形或圆形生长趋势、晶粒生长堆积紧密；总之，掺杂TiO2的样品与未掺杂TiO2的样品相比从显微结构上看晶粒形貌规整，结构均匀、致密，晶粒较大。样品3.ZnO主晶相之问存在较多存在孔洞、缝隙；图晶界出现了大量液相熔融，且晶界较宽，而且晶粒边缘有尖晶石相存在使晶粒长大受限；相比较样品2.晶粒尺寸又变的不均匀，出现极大和极小颗粒。总之，随着TiO2的加入ZnO压敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量过多时，ZnO压敏陶瓷的电性能开始恶化。TiO2的掺杂会使氧化锌压敏陶瓷的平均晶粒明显增大，但掺杂量过多时会产生大量Zn2Ti04尖晶石相阻碍晶粒进一步长大。

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