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低压ZnO压敏电阻的特性与晶界的结构状态有密切关系，关于压敏电阻的显微结构，人们也以Bi系ZnO压敏电阻为基础，建立了不同的模型进行研究，如微电阻模型，即将压敏电阻等效为包含在多晶材料中的分立的晶界，还有运用薄膜技术制造的单结等来模拟ZnO

压敏陶瓷的显微结构材料中主要的相是半导化的ZnO晶粒，许多ZnO晶粒直接接触，晶粒间没有其它相，形成了双ZnO-ZnO晶界(同质结)。由于Bi等大尺寸离子在晶界偏析，改变了晶界的结构，电流通过这些晶界，这些晶界称为电活性晶界，电活性晶界是决定压敏电阻性质的关键。在三个晶粒的交界处，有时在两个晶粒（可能有特殊取向）之间，存在粒间相，粒间相在导电过程中大多是电学非活性的。该相主要包括各种添加物形成的化合物。陶瓷材料中的所有成分都可以溶解在粒间相中，在烧结过程中，晶粒交界处可能形成尖晶石晶体，但是它们不参与导电过程。氧化物的改性添加可以改变晶粒电导或晶界的结构及化学状态，尤其是偏析于晶

界的杂质对晶界活性有很大的影响，因而适当的掺杂选择对形成和改善非线性起着很重要的作用，而且晶界势垒是ZnO压敏陶瓷烧结时在高温冷却过程中形成的，烧结工艺直接影响杂质缺陷在晶界中的分布，从而影响晶界化学结构。另外，低压ZnO压敏电阻的晶粒尺寸要足够大，单位厚度的晶界数少，因此低压压敏电阻对显微结构的波动尤其敏感，工艺对低压压敏电阻压敏特性的作用也不可忽视。

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ZnO压敏电阻已发明三十多年，世界范围众多科研工作者无论在配方的探讨、优化还是微观形成机理的检测和分析领域都进行卓有成效的工作，摸索了一些适合工业化生产的配方和具体工艺路线。对配方的进行了细致的实验摸索，旨在提高宏观电性能如：通流能力、非线形系数、能量耐受能力和电压梯度等等。如：氧化锌压敏电阻中加入少量稀土氧化物改善电压梯度；研究Sb/Bi比例和氧分压等等对性能影响。德国西门子公司研制的用溶液蒸发分解技术(EDS)制备多组分的ZnO压敏电阻瓷料的新工艺。新兴的纳米材料学给许多交叉学科的发展提供了新的思路和方法，在纳米制备科学中纳米粉体的制备由于其显著的应用前景发展得较快，国内外从事压敏电阻研究的学者，为了获得均匀的前驱粉体，将这种新技术引入氧化锌压敏电阻器制造工艺中，并作了大量的研究工作。在如何提高器件通流能力方面，国内厂家也进行了积极探索，主要集中在二个方面：（l）原材料研究，如：稀土氧化物掺杂、添加MgO、化学均相共沉以及溶盐热分解等。（2）制备工艺探索，搅拌球磨和压滤机等。但相互协作研究相比而言较少，与科研机构合作也不是很多。

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