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电压抑制能力：

ZnO压敏电阻器的电压抑制能力保护级别PL=V2/V1或残压比=Umax/U1mAo。V2为给定大电流下的电压，V1为给定漏电流下的电压，

Umax为冲击电流流过时加在压敏电阻器上的峰值电压。

源林电子是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器，自有研发团队，厂家直销

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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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它具有电压非线性系数a大，残压低，浪涌耐量大，使用电压范围宽（从几伏到几十万伏），伏安特性陡峭且对称，对脉冲响应时间快，而且无续流，漏电流小（uA），电压随温度变化小等特有的优点。高能氧化锌压敏电阻器还具有低场强、高能容的特点。近年来的电力系统、电子线路中，吸收大气过电压和操作过电压，在超导移能和发电机组灭磁、电器设备、半导体器件及各种电机过压保护等方面具有广泛的应用前景。

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