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NCE2030K TO-252 20V 30A 40W +/-12V 10.5mΩ NCE2060K TO-252 20V 60A 60W +/-12V 4.8mΩ NCE2090K TO-252 20V 90A 83W +/-12V 4mΩ
| 产品种类 | MOSFET |
| 产品特性 | N沟道增强型功率MOSFET |
| 漏源极击穿电压（最大） | 20V |
| 连续漏极电流（最大） | 30A |
| 功率耗散（最大） | 40W |
| 栅源极击穿电压 | 10V |
| 漏源导通电阻（典型值）(10V) | 4.8mΩ |
| 封装 | TO252 |
NCE2060K概述
该NCE2060K采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。
NCE2060K引脚图/引脚功能
NCE2060K典型应用电路图
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