供应氧化铟薄膜配方工艺技术专题/氧化铟锡/化氧化铟锡/氧化类资料
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成都市
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关键字：金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法；图案化氧化铟锡薄膜的方法；一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法；掺杂氧化铟薄膜；一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法。
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本套资料包括专利技术全文资料55份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费230元。
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以下所有技术资料集成在一张光盘内，是PDF格式的电子图书（非视频或录像)，光盘自带浏览器，所有Windows电脑均可查看，可以快递光盘也可以通过QQ、旺旺或电子邮件传送。化工、材料、医药类的资料包括原材料的配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括详细的设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址、权利要求等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
技术编号 技术名称
(编号:CC1058600-0047-0001) 一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法
[技术摘要] 本发明属于透明电子学领域，具体为一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法。本发明以p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2
(编号:CC1058600-0033-0002) 一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法
[技术摘要] 本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2
(编号:CC1058600-0040-0003) 一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法
[技术摘要] 一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法，属于液晶材料应用领域。基体材料是可光聚合的混合单体，所用液晶是向列相液晶，液晶和单体的质量比是8∶1-1∶1。加入光引发剂的含量为单体总质量的0.1wt％-30.0wt％，纳米*珠的含量约为液晶和单体总质量的0.1wt％-10.0wt％，用来控制膜厚。将液晶、可光聚合单体、光引发剂和纳米*珠均匀混合后夹在两片镀有氧化铟的导电塑料薄膜中间，用滚轴挤压，形成0.5*米至30*米厚的膜层，在可光聚合单体/液晶复合材料的液晶相的清亮点温度以上0.5℃-20.0℃使用365nm的紫外光进行照射1-10分钟，制备成高分子分散液晶薄膜。优点在于：制备具有低驱动电压、高对比度、性能稳定和结实耐用的高分子分散液晶薄膜材料。
(编号:CC1058600-0015-0004) 半导体薄膜及其制造方法
[技术摘要] 提供一种透明氧化物半导体及其制造方法，其由以氧化铟为主成分，添加了氧化铈的氧化物构成，不会因为光造成误操作，进行加热等时薄膜的比电阻不会发生变化。采用的半导体薄膜含有氧化铟和氧化铈，由结晶质构成，比电阻为10+1
(编号:CC1058600-0006-0005) 长期工作于高温下的透明导电薄膜电加热器及其应用
[技术摘要] 一种以氧化铟－氧化锡，或氧化锑－氧化锡，或氧化锌－氧化铝为主要成分并掺入Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｌ等掺杂元素的透明导电薄膜电加热器。它可以从室温至４００℃以上温度下长期稳定地工作。可广泛用于各种家用电热设备、工业烘烤设备、仪器仪表恒温槽等。
(编号:CC1058600-0007-0006) 一种薄膜电晶体制作改进方法
(编号:CC1058600-0009-0007) 一种透明导电薄膜及其制备方法
(编号:CC1058600-0038-0008) 适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜*素电极
(编号:CC1058600-0049-0009) 半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管
(编号:CC1058600-0014-0010) 溅射靶及光信息记录介质用薄膜
(编号:CC1058600-0020-0011) 薄膜晶体管面板制造方法、蚀刻槽清洗方法及强碱用途
(编号:CC1058600-0011-0012) 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜
(编号:CC1058600-0037-0013) 薄膜晶体管及薄膜晶体管基板及它们的制造方法及使用了它们的液晶显示装置及相关的装置及方法以及溅射靶及使用它成膜的透明导电膜及透明电极及相关的装置及方法
(编号:CC1058600-0002-0014) 在聚合物基底上沉积IO或ITO薄膜的方法
(编号:CC1058600-0042-0015) 近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法
(编号:CC1058600-0054-0032) 一种可用于夹胶玻璃的低辐射隔热薄膜的制备方法
(编号:CC1058600-0023-0044) 增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法
(编号:CC1058600-0043-0045) 结晶性透明导电性薄膜、其制造方法、透明导电性薄膜及触摸面板
(编号:CC1058600-0031-0046) 接触部分及制备方法、薄膜晶体管阵列面板及制备方法
(编号:CC1058600-0012-0047) 金单晶纳米岛阵列薄膜电极的制备方法
(编号:CC1058600-0010-0048) 金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
(编号:CC1058600-0052-0049) 一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法
(编号:CC1058600-0045-0050) 场**显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜及制作和测试方法
(编号:CC1058600-0013-0051) 图案化氧化铟锡薄膜的方法
(编号:CC1058600-0050-0052) 一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
(编号:CC1058600-0017-0053) 用三乙醇胺络合水基电沉积液制备硫氰酸亚铜薄膜的方法
(编号:CC1058600-0028-0054) 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜
(编号:CC1058600-0032-0055) 一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法
(成都市氧化铟薄膜配方工艺技术专题厂家)
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光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
技术编号 技术名称
(编号:CC1058600-0047-0001) 一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法
[技术摘要] 本发明属于透明电子学领域，具体为一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法。本发明以p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2
(编号:CC1058600-0033-0002) 一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法
[技术摘要] 本发明涉及在旋转或舟形炉中，通过使用氢作为还原剂，还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2
(编号:CC1058600-0040-0003) 一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法
[技术摘要] 一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法，属于液晶材料应用领域。基体材料是可光聚合的混合单体，所用液晶是向列相液晶，液晶和单体的质量比是8∶1-1∶1。加入光引发剂的含量为单体总质量的0.1wt％-30.0wt％，纳米*珠的含量约为液晶和单体总质量的0.1wt％-10.0wt％，用来控制膜厚。将液晶、可光聚合单体、光引发剂和纳米*珠均匀混合后夹在两片镀有氧化铟的导电塑料薄膜中间，用滚轴挤压，形成0.5*米至30*米厚的膜层，在可光聚合单体/液晶复合材料的液晶相的清亮点温度以上0.5℃-20.0℃使用365nm的紫外光进行照射1-10分钟，制备成高分子分散液晶薄膜。优点在于：制备具有低驱动电压、高对比度、性能稳定和结实耐用的高分子分散液晶薄膜材料。
(编号:CC1058600-0015-0004) 半导体薄膜及其制造方法
[技术摘要] 提供一种透明氧化物半导体及其制造方法，其由以氧化铟为主成分，添加了氧化铈的氧化物构成，不会因为光造成误操作，进行加热等时薄膜的比电阻不会发生变化。采用的半导体薄膜含有氧化铟和氧化铈，由结晶质构成，比电阻为10+1
(编号:CC1058600-0006-0005) 长期工作于高温下的透明导电薄膜电加热器及其应用
[技术摘要] 一种以氧化铟－氧化锡，或氧化锑－氧化锡，或氧化锌－氧化铝为主要成分并掺入Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ａｌ等掺杂元素的透明导电薄膜电加热器。它可以从室温至４００℃以上温度下长期稳定地工作。可广泛用于各种家用电热设备、工业烘烤设备、仪器仪表恒温槽等。
(编号:CC1058600-0007-0006) 一种薄膜电晶体制作改进方法
(编号:CC1058600-0009-0007) 一种透明导电薄膜及其制备方法
(编号:CC1058600-0038-0008) 适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜*素电极
(编号:CC1058600-0049-0009) 半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管
(编号:CC1058600-0014-0010) 溅射靶及光信息记录介质用薄膜
(编号:CC1058600-0020-0011) 薄膜晶体管面板制造方法、蚀刻槽清洗方法及强碱用途
(编号:CC1058600-0011-0012) 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜
(编号:CC1058600-0037-0013) 薄膜晶体管及薄膜晶体管基板及它们的制造方法及使用了它们的液晶显示装置及相关的装置及方法以及溅射靶及使用它成膜的透明导电膜及透明电极及相关的装置及方法
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