分布铟配方工艺技术专题资料光盘
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成都市
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本套资料包括专利技术全文资料26份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费230元。
光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
序号 技术名称
1 一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置
[技术摘要] 本实用新型公开一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置，属太阳能电池材料领域。装置由硒化腔和上盖两部分组成，两部分均用石英加工而成，并通过磨口密封。样品放置于硒化腔内的石英隔板中心的样品窗口上，冷却颈和上盖石英壁上的小孔通过焊接连接，冷却颈和冷却管相接。本实用新型为单区加热硒化装置，能够提供充足的硒原子，其特点是，在样品窗口周围的多个平衡孔释放部分硒蒸气，使样品表面硒蒸气分布均匀，获得均匀硒化的太阳能薄膜电池光吸收层。本实用新型可与其它真空退*装置配合使用，不需要专用的抽气系统和加热系统，且硒化过程不需要通入载气，通用性强，结构简单，用于铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层硒化工艺。
2 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法
[技术摘要] 一种掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上大面积制作吸收型增益耦合光栅；(2)利用等离子体化学气相沉积技术，在外延片上生长介质膜，采用光刻**技术，制作介质掩模图形；(3)利用窄条选择外延生长技术，依次生长下**层、有源区、上**层和保护层，形成梯形的结构；(4)在外延片上接着生长接触层；(5)在外延片上大面积生长一层绝缘层，并在梯形有源区的上方开出电极窗口；(6)在外延片上制作p面电极；(7)对外延片的衬底背面减薄，制作n面电极；(8)解理外延片制作管芯。
3 偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法
[技术摘要] 本发明一种偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷(100)衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷(100)衬底上，在GaAs缓冲层表面上得到多原子台阶；一InAs量子点层，该InAs量子点层制作在镓砷缓冲层上，该层量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在InAs量子点层上，得到InAs量子点材料。
4 氧化铟锡超细**的低温制备方法
[技术摘要] 本发明涉及一种氧化铟锡(下文称为ITO)粉末的制备方法，尤其是涉及一种氧化铟锡超细**的低温制备方法，其特征在于：该制备方法包括如下步骤：配制In、Sn混合溶液、混合溶胶的形成、溶胶老化、纯化溶胶、真空干燥、煅烧；采用本发明提供的方法可以得到一种具有高比表面积，粒径分布窄，粒度为10-20nm的氧化铟锡超细**。
5 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
[技术摘要] 本发明提供了一种无损检测III-V族化合物半导体InP与GaAs基材料的直接键合结构质量的方法。对InP-GaAs直接键合结构减薄为100-250μm，进行红外吸收光谱特性的二维**探测发现，某些区域在波长3.51μm附近出现吸收峰，表明该区域出现了类似InAs*结构物质的中间层，而吸收谱上3.51μm附近不出现吸收峰的区域则不存在中间层，利用该波长位置是否出现吸收峰可区分键合较好与较差的界面结构区域；作出其吸收强度等值线图可得到整个键合界面质量均匀性的分布图，为键合装置及键合条件的改进提供了方向；此外，描绘其它吸收波段(1.0μm～4.0μm)如器件工作波长处的强度等值线图可以描述键合界面引起该波段光损耗的分布情况，从而为器件研制提供重要信息。
6 热阻法检测红外焦平面互连铟柱连通性的方法
23 一种氧化铟纳米线有序聚集体的制备方法
24 铟增强的双极晶体管
25 有机电致发光显示面板铟锡氧化物电极的电化学蚀刻平坦化装置
26 氧化铜－氧化铟复合纳米晶材料的制备方法
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本套资料包括专利技术全文资料26份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费230元全国市区范围可免费货到付款。
订购电话：028-66923316-1(分机) 在线订购QQ:459046209
值班电话：18982190230/15328023369 （周一至周六18：00以后，周日及法定节假日全天）
以上所有技术资料集成在一张光盘内，是PDF格式的电子图书（非视频或录像)，光盘自带浏览器，所有Windows电脑均可查看，可以快递光盘也可以通过QQ、旺旺或电子邮件传送。化工、材料、医药类的资料包括原材料的配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括详细的设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址、权利要求等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
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序号 技术名称
1 一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置
[技术摘要] 本实用新型公开一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置，属太阳能电池材料领域。装置由硒化腔和上盖两部分组成，两部分均用石英加工而成，并通过磨口密封。样品放置于硒化腔内的石英隔板中心的样品窗口上，冷却颈和上盖石英壁上的小孔通过焊接连接，冷却颈和冷却管相接。本实用新型为单区加热硒化装置，能够提供充足的硒原子，其特点是，在样品窗口周围的多个平衡孔释放部分硒蒸气，使样品表面硒蒸气分布均匀，获得均匀硒化的太阳能薄膜电池光吸收层。本实用新型可与其它真空退*装置配合使用，不需要专用的抽气系统和加热系统，且硒化过程不需要通入载气，通用性强，结构简单，用于铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层硒化工艺。
2 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法
[技术摘要] 一种掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上大面积制作吸收型增益耦合光栅；(2)利用等离子体化学气相沉积技术，在外延片上生长介质膜，采用光刻**技术，制作介质掩模图形；(3)利用窄条选择外延生长技术，依次生长下**层、有源区、上**层和保护层，形成梯形的结构；(4)在外延片上接着生长接触层；(5)在外延片上大面积生长一层绝缘层，并在梯形有源区的上方开出电极窗口；(6)在外延片上制作p面电极；(7)对外延片的衬底背面减薄，制作n面电极；(8)解理外延片制作管芯。
3 偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法
[技术摘要] 本发明一种偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷(100)衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷(100)衬底上，在GaAs缓冲层表面上得到多原子台阶；一InAs量子点层，该InAs量子点层制作在镓砷缓冲层上，该层量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在InAs量子点层上，得到InAs量子点材料。
4 氧化铟锡超细**的低温制备方法
[技术摘要] 本发明涉及一种氧化铟锡(下文称为ITO)粉末的制备方法，尤其是涉及一种氧化铟锡超细**的低温制备方法，其特征在于：该制备方法包括如下步骤：配制In、Sn混合溶液、混合溶胶的形成、溶胶老化、纯化溶胶、真空干燥、煅烧；采用本发明提供的方法可以得到一种具有高比表面积，粒径分布窄，粒度为10-20nm的氧化铟锡超细**。
5 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
[技术摘要] 本发明提供了一种无损检测III-V族化合物半导体InP与GaAs基材料的直接键合结构质量的方法。对InP-GaAs直接键合结构减薄为100-250μm，进行红外吸收光谱特性的二维**探测发现，某些区域在波长3.51μm附近出现吸收峰，表明该区域出现了类似InAs*结构物质的中间层，而吸收谱上3.51μm附近不出现吸收峰的区域则不存在中间层，利用该波长位置是否出现吸收峰可区分键合较好与较差的界面结构区域；作出其吸收强度等值线图可得到整个键合界面质量均匀性的分布图，为键合装置及键合条件的改进提供了方向；此外，描绘其它吸收波段(1.0μm～4.0μm)如器件工作波长处的强度等值线图可以描述键合界面引起该波段光损耗的分布情况，从而为器件研制提供重要信息。
6 热阻法检测红外焦平面互连铟柱连通性的方法
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12 一种制备铜铟氧化物纳米**的方法8
13 在基片上**光滑铟锡氧化物层的方法及一种基片铟锡氧化物覆层|
14 纳米氧化铟介孔组装体系及其制备方法6
15 硫铟铜纳米粉末的制备方法6
16 铟、锡氧化物复合粉末的制备方法9
17 具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺2
18 氧化铟锡单分散纳米**的低温溶剂热制备方法3
19 一种纳米铟锡氧化物**的制备方法3
20 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件1
21 铟锡氧化物透明导电膜生产工艺6
22 晶片键合的铝镓铟氮结构23 一种氧化铟纳米线有序聚集体的制备方法
24 铟增强的双极晶体管
25 有机电致发光显示面板铟锡氧化物电极的电化学蚀刻平坦化装置
26 氧化铜－氧化铟复合纳米晶材料的制备方法
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