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深圳市仁捷电子有限公司(东莞分公司)

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磁珠和电感的区别
电感是储能元件,而磁珠是能量转换(耗费)器件。电感多用于电源滤波回路,偏重于遏止传导性干扰;磁珠多用于旗子记号回路,首要用于EMI方面。磁珠用来接收超高频旗子记号,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR,SDRAM,RAMBUS等)都需求在电源输入局部加磁珠,而电感是一种储能元件,用在LC振荡电路、中低频的滤波电路等,其运用频率局限很少跨越50MHz。

1.片式电感:在电子设备的PCB板电路中会良多运用理性元件和EMI滤波器元件。这些元件网罗片式电感和片式磁珠,以下就这两种器件的特点进行刻画并剖析他们的粗浅运用场所以及非凡运用场所。外表贴装元件的益处在于小的封装尺寸和可以知足理论空间的要求。除了阻抗值,载流才干以及其他相似物理特征不合外,通孔接插件和外表贴装器件的其他功用特点根本一样。在需求运用片式电感的场所,要求电感完成以下两个根本功用:电路谐振和扼流电抗。谐振电路网罗谐振发作电路,振荡电路,时钟电路,脉冲电路,波形发作电路等等。谐振电路还网罗高Q带通滤波器电路。要使电路发生谐振,必需有电容和电感还存在于电路中。在电感的两头存在寄生电容,这是因为器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而发生的。在谐振电路中,电感必需具有高Q,窄的电感倾向,不变的温度系数,才干抵达谐振电路窄带,低的频率温度漂移的要求。高Q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置担保谐振频率倾向尽量小。不变的温度系数担保谐振频率具有不变的温度改动特征。规范的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差别仅仅在于封装纷歧样。电感构造网罗介质资料(人间为氧化铝陶瓷资料)上绕制线圈,或许空心线圈以及铁磁性资料上绕制线圈。在功率运用场所,作为扼流圈运用时,电感的首要参数是直流电阻(DCR),额外电流,和低Q值。算作为滤波器运用时,但愿宽的带宽特征,因而,并不需求电感的高Q特征。低的DCR可以担保最小的电压降,DCR界说为元件在没有交流旗子记号下的直流电阻。
2.片式磁珠:片式磁珠的功用首假如消弭存在于传输线构造(PCB电路)中的RF噪声,RF能量是叠加在直传达输电平上的交流正弦波成分,直流成分是需求的有效旗子记号,而射频RF能量倒是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射(EMI)。要消弭这些不需求的旗子记号能量,运用片式磁珠饰演高频电阻的人物(衰减器),该器件允许直流旗子记号经由,而滤除交流旗子记号。人间高频旗子记号为30MHz以上,然则,低频旗子记号也会遭到片式磁珠的影响。
片式磁珠由软磁铁氧体资料构成,组成高体积电阻率的独石构造。涡流损耗同铁氧体资料的电阻率成反比。涡流损耗随旗子记号频率的平方成正比。 运用片式磁珠的益处:
小型化和轻量化。在射频噪声频率局限内具有高阻抗,消弭传输线中的电磁干扰。 闭合磁路构造,更好地消弭旗子记号的串绕。 极好的磁樊篱构造。降低直流电阻,以免对有效旗子记号发生过大的衰减。

清楚的高频特征和阻抗特征(更好的消弭RF能量)。在高频扩展电路中消弭寄生振荡。有用的义务在几个MHz到几百MHz的频率局限内。要准确的选择磁珠,必需留心以下几点: 不需求的旗子记号的频率局限为很多。 噪声源是谁。需求多大的噪声衰减。 情况前提是什么(温度,直流电压,构造强度)。 电路和负载阻抗是很多。能否有空间在PCB板上放置磁珠。前三条经由察看厂家供应的阻抗频率曲线就可以判别。在阻抗曲线中三条曲线都十分首要,即电阻,感抗和总阻抗。总阻抗经由ZR22πfL()2+:=fL来刻画。典型的阻抗曲线可拜见磁珠的DATASHEET。
经由这一曲线,选择在但愿衰减噪声的频率局限内具有最大阻抗而在低频和直流下旗子记号衰减尽量小的磁珠型号。 片式磁珠在过大的直流电压下,阻抗特征会遭到影响,其他,假定义务温升过高,或许外部磁场过大,磁珠的阻抗都邑遭到倒运的影响。
运用片式磁珠和片式电感的启事:是运用片式磁珠照样片式电感首要还在于运用。在谐振电路中需求运用片式电感。而需求消弭不需求的EMI噪声时,运用片式磁珠是最佳的选择。片式磁珠和片式电感的运用场所: 片式电感:射频(RF)和无线通信,信息身手设备,雷达检波器,汽车电子,蜂窝德律风,寻呼机,音频设备,PDAs(小我数字助理),无线遥控系统以及低压供电模块等。片式磁珠:时钟发作电路,模仿电路和数字电路之间的滤波,I/O输入/输出内部联接器(比方串口,并口,键盘,鼠标,远程电信,当地局域网),射频(RF)电路和易受干扰的逻辑设备之间,供电电路中滤除高频传导干扰,核算机,打印机,录像机(VCRS),电视系统和手提德律风中的EMI噪声遏止。
磁珠的选用

1. 磁珠的单元是欧姆,而不是亨特,这一点要特殊留心。由于磁珠的单元是依照它在某一频率 发生的阻抗来标称的,阻抗的单元也是欧姆。磁珠的 DATASHEET上浅显会供应频率和阻抗的特征曲线图,浅显以100MHz为规范,比方1000R@100MHz,意思就是在100MHz频率的时分磁珠的阻抗相当于600欧姆。

2. 粗浅滤波器是由无损耗的电抗元件组成的,它在线路中的后果是将阻带频率反射回旗子记号源,所以这类滤波器又名反射滤波器。当反射滤波器与旗子记号源阻抗不匹配时,就会有一局部能量被反射回旗子记号源,组成干扰电平的加强。为措置这一缺点,可在滤波器的进线上运用铁氧体磁环或磁珠套,运用滋环或磁珠对高频旗子记号的涡流损耗,把高频成分转化为热损耗。因而磁环和磁珠理论上对高频成分起接收后果,所以有时也称之为接收滤波器。
不合的铁氧体按捺元件,有不合的最佳按捺频率局限。人间磁导率越高,按捺的频率就越低。此外,铁氧体的体积越大,按捺结果越好。在体积肯定时,长而细的外形比短而粗的按捺结果好,内径越小按捺结果也越好。但在有直流或交流偏流的状况下,还存在铁氧体饱和的问题,按捺元件横截面越大,越不易饱和,可接受的偏流越大。
EMI接收磁环/磁珠按捺差模干扰时,经由它的电流值正比于其体积,两者丢失调组成饱和,降低了元件功用;按捺共模干扰时,将电源的两根线(正负)还穿过一个磁环,有用旗子记号为差模旗子记号,EMI接收磁环/磁珠对其没有任何影响,而关于共模旗子记号则会显示出较大的电感量。磁环的运用中还有一个较好的办法是让穿过的磁环的导线重复绕几下,以添加电感量。可以依据它对电磁干扰的按捺事理,合理运用它的按捺后果。
铁氧体按捺元件该当装置在接近干扰源的当地。关于输入/输出电路,应尽量接近樊篱壳的进、出口处。对铁氧体磁环和磁珠组成的接收滤波器,除了应选用高磁导率的有耗资料外,还要留心它的运用场所。它们在线路中对高频成分所出现的电阻大约是十至几百Ω,因而它在高阻抗电路中的后果并不清晰,相反,在低阻抗电路(如功率分派、电源或射频电路)中运用将十分有用。

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