单晶炉研发较早
单晶炉方面,
1961
年,在中国科学院半导体物理所林兰英院士的亲自指导下,北京机
械学院工厂
(西安理工大学工厂的前身)
的技术人员与半导体物理所的技术人员共同研制出了我
国一台人工晶体生长设备—
TDK-36
型单晶炉,
并且成功拉制出了我国一根无位错的硅单晶,
单晶质量接近当时的国际先进水平,
TDK-36
型单晶炉投料量只有
1kg
,拉制单晶直径
800-950炉技术参数如下:
1 .电源:380V,三相
2.加热方式:石墨电阻加热
3.额定功率:140-180KW
4.高温度:1600℃
5.熔料重量:60Kg(900炉90Kg)(950炉130Kg)
6.主炉室尺寸:800*1050mm(900*1150)(950*1420)
7.冷却水量:15立方米/小时
8.氩气耗量:3000L/小时
9.占地尺寸:5000*3000mm
10.设备高度:6100mm-6700mm