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氧化锌压敏电阻的缺陷:
ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo,负一价和负二价的
VZn ,正一价的DZn。VZn主要在晶界处,VZn为受主态,使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒,约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态,是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻,提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少,主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧,在晶界中形成大量的VZn和Vo,但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。
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为了观察烧结成品晶粒生长情况,气孔率,致密性等,分析元素的掺杂等对成品性能的影响,对制得的ZnO陶瓷成品断口进行观测。样品1与样品2相比较小且大小不等、杂乱无章,即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒,其中以小尺寸晶粒居多;(2)晶粒形貌呈现多样性生长趋势。(3)ZnO主晶相之间存在较多存在孔洞、缝隙。由2中可以看出:(1)ZnO平均晶粒尺寸为10
~15um,且小尺寸晶粒数量大量减少,尺寸生长比较均匀;(2)晶粒形貌大多呈现正多边形或圆形生长趋势、晶粒生长堆积紧密;总之,掺杂TiO2的样品与未掺杂TiO2的样品相比从显微结构上看晶粒形貌规整,结构均匀、致密,晶粒较大。样品3.ZnO主晶相之问存在较多存在孔洞、缝隙;图晶界出现了大量液相熔融,且晶界较宽,而且晶粒边缘有尖晶石相存在使晶粒长大受限;相比较样品2.晶粒尺寸又变的不均匀,出现极大和极小颗粒。总之,随着TiO2的加入ZnO压敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大,但加入量过多时,ZnO压敏陶瓷的电性能开始恶化。TiO2的掺杂会使氧化锌压敏陶瓷的平均晶粒明显增大,但掺杂量过多时会产生大量Zn2Ti04尖晶石相阻碍晶粒进一步长大。
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