三酸抛光-昆山韩铝化学表面-三酸抛光剂

化学抛光的优缺点：

1：优点： 操作简便、快速，无需专用仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示组织，抛光结束之后可以观察组织，不需再做侵蚀显示。

2：缺点：抛光液容易失效，三酸抛光价格，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，三酸抛光剂，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，三酸抛光，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

铝合金型材表面化学抛光操作和工艺条件

(1)装料.化学抛光的铝合金型材在装料前需要核对铝合金型材的纯度、化学成分、外观品质.外观应无擦伤、划伤、腐蚀等缺陷，以确保产品获得满意的光亮度.装料量应比阳极氧化时的少，铝合金型材间距要加大，倾斜度要加大，使气体尽快逸出.装料时要防止铝合金型材表面气体累积，避免形成气体缺陷.化学抛光槽液的相对密度很大，化学抛光时刚形成的气体暂时附着在铝合金型材表面上，有可能使铝合金型材或导电杆上浮，铝合金型材浮出液面部分隔热铝合金窗的化学抛光就不充分，造成在同一挂料中出现光亮度不均匀的现象.必要时，减少装料量或采用大型加重的导电梁防止铝合金型材上浮.对高光亮度要求的装饰面应该向外垂直装料，确保装饰面上的气体尽快逸出.