贴片铝电解电容封装 /铝电解电容器的寿命 /贴片铝电解电容规格
￥0.12
买方承担运费
东莞市
产品详情（东莞市贴片铝电解电容封装厂家）
贴片铝电解电容封装 /铝电解电容器的寿命 /贴片铝电解电容规格
电解电容的内部结构
产品规格书Product Specification
一、概述 SCOPE
本规格书适用于荣誉电子RVT系列105℃标准品。
二、外形图及尺寸表 Case size table
单位:mm
三、技术性能 Specifications
1
产品规格书Product Specification
四、试验方法及要求 Tests
五、标称电容量、额定电压、额定纹波电流与外形尺寸对应表
Nominal capacitance, rated voltage, rated ripple current and case size table
I~=Rated ripple current (mA) (105℃, 120Hz) I~=额定纹波电流（mA）（105℃，100KHz）
Impedance=Impedance(Ω) at 25℃,100kHZ
六构造图及材料表 Frame drawing and materials
七、标志 Marking
电容器标识内容如下：
Capacitors shall be legibly marked with the following:
1）产品系列
Manufacture’s mark
2）额定电压和额定电容
Rated voltage and nominal capacitance
3）负极标识
Negative polarity
八、片式铝电解电容的编带
V- Chip Type Aluminum Electrolytic Capacitors
n 编带 Carrier tape
n 编带包装盘 Reel
铝电解电容内部结构图 以上是OST（东莞荣誉电子厂）的一个加工厂提供的。以下表格是结构图当中各个部位的详细说明：
我们可以注意3个地方：AL-FOIL(+)、AL-FOIL(-)、SEPARATOR，这些都是电容内部机构的关键部件，一些国内公司还无法做到。我们可以看出，这些都是从日本JCC等公司进口的，对电容品质的保证起到了很重要的作用。
电解电容的八个基本参数详解[一]
参数一：电容值
电容值C=Q/U。
要计算主板CPU供电部位对电容容量的需求，使用如下公式：
C = I/(∆V/∆t)
假如CPU的电流I为50A , ∆V=50mV时，∆t=10μS。则容量要求为C=10000μf。要得到理想的滤波效果的话，就要求要7颗1500μf的电容并联使用。
参数二：耐压值
耐压值是表示电容＋/－极之间的最大压差，如果出现过压现象，电容就会处于击穿状态，漏电流增大，电容内部发热巨增，电容内部的电解液会因高温变成气体致使电容内部压力增大。当这个压力超过电解电容的铝外壳承受压力的时候，电容就会发生爆炸。CPU的工作电压一般在1～2V之间，电容耐压能在4V以上就一般不会出问题，前提是电容极性不得插反！
参数三：损耗正切值
损耗正切值用tgδ表示，它是交流电压下介质中的能量损耗标称。损耗跟温度及电压有关系，损耗值越小，电容发热就越小，热量对电容的工作寿命有很大的影响。
参数四：ESR
ESR即Equivalent Series Resistance（等效串联电阻），主板CPU供电部分都是用的LOW ESR的电容，主板的CPU输入电容的ESR的要求值可根据以下公式计算：
而INTEL Pentium 4处理器的要求是取3.06GHz CPU ICC=65.4A 。则根据公式(1)、(2)可以得到最大ΔVTRAN=148.1mV。根据公式可以得到RCESR/NC=2.26mΩ （全文摘自www.pcpop.com，有修改），当电容个数达到7个时，要求的电容ESR值为 2.26X7=17.4mΩ。 常用的高品质电容ESR参数也才13 mΩ，如RUBYCON的MBZ系列的电容，ESR值在100KHZ的测试条件下标准值为13 mΩ。雷同的还有TAICON的HI系列，SAMXON（OST及松下等公司的电容代工厂）的GD系列。
电容爆浆
ESR值越大，滤除纹波效果就越差，尤其市面上很多只有4—5颗输出电容的主板，将会影响主板的稳定性，用高频CPU时就更明显了。甚至还有些用较差品牌，或是没有保证的国产电容，可能还会出现象XX等厂曾出现电容爆裂现象。
参数五：纹波电流
纹波电流即RIPPLE CURRENT（也称涟波电流），电容具有“通交流，阻直流”的特性，纹波电流就是用了通交流的特性，将有害的交流成分滤掉，使直流成分更纯，有助于CPU的工作稳定。
从公式I=U/R可以看出，它是跟ESR值是成正比关系的，在同等条件下（同材料，同环境等），ESR值越低，电容的耐纹波电流能力越强，尤其是在主板开关电源部分（如，CPU的电源部分在MOS管的前端）显得尤为重要，耐纹波电流能力差，ESR值大，发热量就会增大，电容的寿命将会极大的降低，甚至很容易出现爆裂现象。
参数六：耐温值
电解电容一般耐温值有85℃ 及105℃ 两种，在环境差的条件下，选择高耐温的电容器有利于延长电容的工作寿命。
参数七：漏电流
电容在直流的条件下也不是完全绝缘的，漏电流的要求一般为I≤0.01CU,漏电流越小越好，漏电流小，电容的发热量小。
参数八：电容寿命
电容寿命计算公式为
这是正常使用下电容的寿命公式，Lo=2000小时。
上图是TAICON的LOW ESR电容HI系列参数要求
电容的寿命跟工作温度有很大的关系，通常所说的2000小时的工作寿命，是指电容在工作温度下，如105℃ ，80％工作电压（加上纹波电压不超过标称电压），加上标称的纹波电流（如TAICON的2200UF/6.3V HI系列，10X20的电容，纹波电流为2.55A ），工作2000小时参数变化率在要求的范围内，无故障出现（如电容爆等）。所以，要求高寿命的电容，跟选择好品质的电容是相依相存的，电容每个参数的好与坏都会直接影响到电容的工作寿命。
铝电解液电容的制造过程
贴片铝电解液电容是如今的板卡上最常见的电容之一。事实上其它种类的贴片电解电容，例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似，只是阴极采用的材料不是电解液，而是固体聚合物等等。
贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容
贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤，我们就按顺序逐一为大家讲解：
第一步：铝箔的腐蚀。
假如拆开一个铝电解液电容的外壳，你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸，铝箔和电解纸贴附在一起，卷绕成筒状的结构，这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。
因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积，电容中的铝箔的表面并不是光滑的，而是经过电化腐蚀法，使其表面形成凹凸不平的形状，这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右，而经过这道工艺之后，它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的，其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟，因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。
第二步：氧化膜形成工艺。
铝箔经过电化腐蚀后，就要使用化学办法，将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质。在氧化之后，要仔细检查三氧化二铝的表面，看是否有斑点或者龟裂，将不合格的排除在外。
第三步：铝箔的切割。
这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔，切割成若干小块，使其适合电容制造的需要。
第四步：引线的铆接。
电容外部的引脚并不是直接连到电容内部，而是通过内引线与电容内部连接的。因此，在这一步当中我们就需要将阳极和阴极的内引线，与电容的外引线通过超声波键合法连接在一起。外引线通常采用镀铜的铁线或者氧化铜线以减少电阻，而内引线则直接采用铝线与铝箔直接相连。大家注意这些小小的步骤无一不对精密加工要求很高。
第五步：电解纸的卷绕。
电容中的电解液并非直接灌进电容，呈液态浸泡住铝箔，而是通过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中，选用的电解纸与普通纸张的配方有些不同，是呈微孔状的，纸的表面不能有杂质，否则将影响电解液的成分与性能。而这一步，就是将没有吸附电解液的电解纸，和铝箔贴在一块，然后卷进电容外壳，使铝箔和电解纸形成类似“101010” 的间隔状态。
第六步：电解液的浸渍。
当电解纸卷绕完毕之后，就将电解液灌进去，使电解液浸渍到电解纸上。随着电解液配方的改进以及电解纸制造技术的提升，如今铝电解液电容的ESR值也逐渐得以提升，变成以前的若干分之一。
第七步：装配。
这一步就是将电容外面的铝壳装配上，同时连接外引线，电容到这时已经基本成型了。
第八步：卷边。
如果是那种“包皮”电容，就需要经过这一步，将电容外面包覆的PVC膜套在电容铝壳外面。不过如今使用PVC膜的电容已经越来越少，主要原因在于这种材料并不符合环保的趋势，而和性能表现没有太大关系。
第九步：组合装配。
如果是直插封装，就不需要经过这步
这是贴片铝电解电容制造的最后一步。这一步就是将SMT贴片封装工艺所需要的黑色塑料底板元件装在电容底部。对元件的要求，首先是密封效果要好；第二是耐热性能要好；第三还要具备耐化学性，不能和电容内部的电解液一类物质产生化学反应。这块小塑料板叫做“端子板”，其制造精度要求是非常高，因为一旦大小不合适，要么影响电容的密封性（过小），或者阻挡PCB上电容附近其它元件的装配（过大）。
钽二氧化锰电容的制造过程
板卡上除了常见的贴片铝电解液电容外，偶尔还会出现比其更加高档的钽二氧化锰电容，也就是我们熟悉的钽电容。钽二氧化锰电容的外观呈立方体，体积较小，与体积相对偏大，且外观为圆筒状的铝电解液电容截然不同。不仅是外观，钽二氧化锰电容的内部结构也和铝电解液电容不一样。那么，这种电容又是如何制造出来的呢？
钽电容是“高档的象征”
可以说将二氧化锰作为阴极的钽二氧化锰电容的制造过程，比将固体聚合物作为阴极的电容还要复杂。因为PPY和PEDT这类固体聚合物，只需要直接放置入电容内部，而钽二氧化锰电容内部的二氧化锰，由于溶解性较差，熔点较高，无法预先紧密贴合，所以只能用硝酸锰热分解生成。
制造钽电容首先需要高纯度的钽粉。其纯度至少应该在99.9%以上，目前这方面能达到的最高工艺是99.9999%。首先，将钽粉和有机溶剂掺杂在一起，按照一定的形状加压成形，同时埋入钽引线。
然后，在2000度以上的真空高温环境下，将掺杂有机溶剂的钽粉在真空中进行烧结变成类似于海绵的状态，同时和引线真正地融合在一起。（一定要保证真空环境，杜绝氧气，因为钽的熔点非常高，低于2000度无法熔化，而在2000度时，钽会和氧气发生剧烈反应，也就是爆炸 所以一定不能有氧气混入）
接下来就要把烧结以后的海绵状的钽进行氧化而得到介质——五氧化二钽。这一步是将海绵状的钽，泡在磷酸溶液里面电解，氧化后表面即生成五氧化二钽。五氧化二钽的介电常数非常高，在27左右，性能高于铝电解电容的三氧化二铝介质（介电常数7左右）。
然后就是阴极材质——二氧化锰的生成。这一环节，是将液态的硝酸锰加入钽块，然后将其在水蒸汽（催化剂）环境中进行热分解，分别成二氧化锰与二氧化氮。为了使氧化膜能够真正完全黏附在二氧化锰上，这道工序要进行好几次（掺入，分解，再掺入……）。硝酸锰吸附性好，生成的二氧化锰可以完全吸附在海面状钽块内部的无数个小孔当中。假如这里直接使用固体的二氧化锰，就无法达到这种效果，这就是为什么二氧化锰只能在制造过程中得到的原因。假如使用PPY/PEDT等固体聚合物，因其溶点很低，就可以直接将其熔解然后放进去。
最后要将银粉和石墨涂在二氧化锰的表面上，减少它的ESR，增强它的导电性。这一步骤看似简单，但实际也非常重要。尤其是涂层的厚薄要均匀，密度要大，否则对降低ESR帮助不大。另外使用PPY/PEDT做阴极的时候，也同样要施行这一道工序。此过程也要反复进行好多遍才可以
如此这般，钽二氧化锰电容内部的那颗“芯”就已经制作完成了。对于一些LOW ESR的高档钽二氧化锰/钽固体聚合物电容而言，厂商往往会先做好几个“芯”，然后将其并联在一起，封装成一个电容，这样其ESR值会很低，性能更加出色，当然价格也不便宜。
最后就是一些安装的工序。首先加入外引线，然后用环氧树脂进行封装。钽电容从外观上看一般有黄色和黑色两种，而它们都是环氧树脂。环氧树脂的绝缘性、机械强度、耐湿性很好，比使用铝作为外壳的失效性更低。不过铝电容也可以使用环氧树脂封装，这种铝电容的外观和钽电容是差不多的，这我们在上一篇文章里已经提到过，因此大家不能单凭外观来判断电容的阳极材质。
陶瓷电容经常出现在CPU、GPU等高频设备上
有一些朋友分不清钽电容和陶瓷电容有什么区别。其实很简单，钽电容的外壳，采用的是不导电的环氧树脂，而陶瓷电容的外壳采用的则是导电的金属。
衡量电容性能的几个重要性能参数
在熟知电容的制造全过程，了解了电容的基本构造和原理之后，我们就将面临一个新的问题——如何从参数上判断电容品质的好坏？只有掌握了这一方法，我们才能以不变应万变，即使对电容的种类和品牌本身不了解，也能通过几个参数迅速判断出其性能档次。
关于电容的参数，我们将其分为“看得到的”和“看不到的”。所谓“看得到的”，就是印在电容表面的一些基本参数，这些参数在我们看到一颗电容之后往往可以直接得知。例如电容的容量（比如“470μF”等等）、容量偏差范围、耐温范围、电压值（比如“16V”）。
所谓“看不到的”参数，就是我们需要根据电容的型号来查询的参数。例如我们常说的ESR值，如今已成为区别电容性能的重要参数，而我们在电容上是看不到这个参数的，我们得去相关的网站通过电容的型号来查询。类似的参数还有不少，其中包括如下一些：
1.ESR值；
2.能够耐受的涟波电流值；
3.温度特性；
4.损耗角的正切（TAN），相当于无功功率和有功功率的比值，这个值跟电容的品质以及发热量有关系，这个值越小电容性能越好。
5.漏电流值：无论绝缘体多大，总是会有细微的电流漏过电容，这个值则代表具体漏过的多少。
此外，ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展，现在的高档电解电容，其ESL特性一般都很好，到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别，因此也就失去了比较的意义。
电容ESR的意义 ESR缘何重要？
首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢？由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。
例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A 左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A ，达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压（理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷）。
此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对于1.8V的CPU而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
那么ESR值与涟波电压的关系何在呢？我们可以用以下公式表示：
V=R（ESR）×I
这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调LOW ESR的缘故。
上图就是一个典型的滤波电路。其中的SW IC相当开关电源，将输入的5V直流电转换为3.3V直流电。而电路的L/C部分则构成电路的低通滤波器，目的就是尽量滤去直流电中的涟波电压。
而上图的表格则表明了，在L/C部分使用不同种类电容的情况下，这个电路中涟波电压的表现情况。可以看出，具有LOW ESR性能的铝固体聚合物导体电容（左边），其消除涟波电压的性能最强，钽二氧化锰电容（右边）性能次之，铝电解液电容（中间）表现最差。同时最后的数值还将受温度影响，这点我们还将在后面详细说明。
温度与电容性能的密切关系
电容的性能并非一成不变，而是会受到环境的影响，而对电容影响最大的就是温度。而在不同种类的电容当中，采用电解液作为阴极材质的电容例如铝电解液电容，受温度影响又最为明显。因为在不同种类的阴极，例如电解液、二氧化锰、固体聚合物导体当中，只有电解液采用离子导电方式，而其余几种均采用电子导电方式。对于离子导电而言，温度越高，其离子活动越强，电离程度也越强。因此，在温度不超过额定限度的前提下，电解液电容在高温状态下的性能要比低温状态下更好。
上图代表25摄氏度下，三种电容降低涟波电压的能力（电路可以以上一章节中的电路图为参考）。其中第一个表格所使用的OSCON SVP铝固体聚合物导体电容（1颗，100μF，ESR=40毫欧姆） ），第二个表格所使用的是低阻抗铝电解液电容（3颗并联），第三个表格使用的是低阻抗钽电容（2颗并联）。
从表格中可以看出，在25摄氏度的常温状态下，三者所产生的涟波电压分别是22.8/23.8/24.8mV。也就是说，1颗铝固体聚合物导体电容，在25摄氏度下降低涟波电压的能力，大致相当于2颗钽电容和3颗铝电解液电容。
上图同样是这三种电容，同一电路，在70摄氏度下降低涟波电压的表现。可以看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能改变都不大，依然保持在24~25mV左右，但是3颗铝电解液电容并联下的涟波电压降低到了16.4mV，这时只需要并联两颗这种电容，即可达到25摄氏度状态下的25mV左右水平，其性能提升巨大。
下面我们就要看低温环境下这三种电容的表现了。上图是在零下20摄氏度下三种电容的成绩。可以看出，在低温环境下，铝电解液电容的性能降低得非常厉害。3颗并联状态下的涟波电压由25摄氏度下的23.8mV猛增到了57.6mV。要将涟波电压降低到和25摄氏度相同的数值，需要并联7颗这种电容。相比之下我们还能看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能，无论是在25度、70度还是-20度环境下，其波动都不大。
从以上分析我们不难看出，铝电解液电容的ESR值受温度影响是极其明显的。上面的图表则直接画出了不同种类电容，在不同温度状态下的ESR曲线。其中铝电解液电容（蓝色线）随温度（Y轴）的增加，ESR值（X轴）降低明显。而铝固体聚合物导体电容（紫色线）和钽电容（绿色线）以及高档陶瓷电容（红色线）则近似于直线，其ESR值受温度影响不大。而普通陶瓷电容（粉红线）则受温度影响较大。
这里需要说明的是，上表中用做比较的铝固体聚合物导体电容，其容量较小（只有100μF），而且ESR并不太低（40毫欧）。如换上大容量，ESR更低的同类产品，最终性能表现将更加突出。
如何计算电容寿命
在电容的表面，会标明一个温度数据，例如125等等。这个温度，代表着该电容所能承受的最高温度，在这一最高温度下，电容一般只能保证正常工作1000个小时左右。而通过这个温度数值，我们可以使用公式计算出该电容在其它不同温度环境下的寿命。
铝固体聚合物导体电容的计算公式：
L2=L1×10^[（t1-t2）/20]（方括号内的算式结果作为10的幂，下同）
其中L2表示实际使用中电容的寿命，单位为小时、L1表示最高温度下的寿命（1000小时）、T1代表该电容所标明的最高工作温度（例如上面所说的125）、T2代表实际使用的温度（例如85度等等）。
假设一颗最高工作温度为125度的铝固体聚合物导体电容，在85度下工作，那么它的寿命，通过计算我们可以得出L2=1000x10的2次方=100000小时，也就是说大约能工作11年左右。
铝电解液电容的计算公式：
L2=L1×2^[（t1-t2）/10]
假设一颗最高工作温度为125度的铝电解液电容，在85度下工作，那么它的寿命，通过计算我们可以得出L2=1000x2的4次方=16000小时，也就是说大约只有不到2年。
東莞荣誉電子有限公司是一家集研發、生產、銷售及服務為一體的、东莞荣誉电子有限公司全国免费电话接入:13427820351传真Fax:86-0769-85359269高科技電容器生產企業，專項致力於為客戶提供專業的電容器產品解決方案，產品廣泛應用於LED顯示幕系統集成、汽車電子,安防領域.消費電子,通信設備.工業控制,等行業.
荣誉電子專注於電容器相關領域，目前所經營的業務主要有鋁電解電容.薄膜電容.陶瓷電容.超級電容器的加工製造開發與生產等。公司自成立以來，在全體員工的共同努力下，產品及服務已逐步銷售到了國內各級市場並逐步出口到了歐、美、中東及港澳臺等海外的多個國家及地區，且以較高的性價比贏得了用戶的好評與認可。 东莞荣誉电子有限公司全国免费电话接入:13427820351传真Fax:86-0769-85359269
公司擁有一支專業、且富有多年行業工作經驗的產品開發、設計團隊及一批高素質、職業化的管理精英，從而能在快速回應客戶需求、提供差異化產品設計、端到端的系統服務、助力客戶商業成功等方面得到了有效的保證。
為了滿足市場及生產的需要，公司近萬平方米的標準化生產廠房，全面配備了組立封裝、SMT焊接、組裝測試、總裝老化等50條自動化程度較高的生產作業流水線。系統化、標準化、精細化管理體系的導入，讓我們在大規模生產的同時，既使產品的品質、性能等得到了充分的保證，又有效地提高了效益、使製造成本得到了有效的控制，從而總能使我們走在產品製造的最前沿，為客戶提供性價比較高的產品及服務。 东莞荣誉电子有限公司全国免费电话接入:13427820351传真Fax:86-0769-85359269
電容器作為一種主要元器件，其節能、環保、壽命長等優異的特性早已得到世人的一致認可。有幸成為電容器行業的一員，在經營的道路上，我們必將發揮團隊的協作能力，以“誠信”為本，視“品質”為生命，以“客戶利益最大化”為經營目標，精益求精，全力打造最具性價比競爭優勢的生產製造基地，創電容器世界一流品牌。 东莞荣誉电子有限公司全国免费电话接入:13427820351传真Fax:86-0769-85359269
满足客户需求是我们一切工作的出发点
以高质量的产品赢得客户的尊敬
以满意的服务赢得客户的信赖
3、持续创新
企业总是处在危机当中，创新是我们的立身之本
管理机制的创新是一切创新的基础
技术创新是保持行业领先的驱动力
持续改进也是创新
鼓励创新，允许犯错
4、高效执行
注重结果，没有借口
快速反应，马上行动
做事做到位，做事做彻底
5、员工和公司共成长
尊重每一位员工
公司与个人的利益休戚相关
重视员工培训，激发员工潜能
给认同公司核心价值观的员工创造发展机会
6、团队与合作
整体利益高于局部利益，团队荣誉高于个人荣誉
坦诚的沟通和主动的协作是团队成功的基础
跨部门团队是实现组织目标的有效形式
7、职业精神
敬业、专业和责任感是我们倡导的职业精神
在直流电路中，电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。
这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）[1]构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是绝缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。
陶制电容器
但是，在交流电路中，因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而 电 容器充放电的过程是有时间的， 这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化的函数。实际上，电流是通过场的形式在电容器间通过的。
在中学阶段，有句话，就叫通交流，阻直流，说的就是电容的这个性质。
电容的作用:
1）旁路
旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2）去藕
去藕，又称解藕。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
3）滤波
从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。
4）储能
储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器
低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态；
一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形成电感，以致影响电路的工作精度。
电容器标称电容值
E24 E12 E6 E24 E12 E6
1.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.3
1.1 3.6
1.2 1.2 3.9 3.9
1.3 4.3
1.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.7
1.6 5.1
1.8 1.8 5.6 5.6
2.0 6.2
2.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.8
2.4 7.5
2.7 2.7 8.2 8.2
3.0 9.1
注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。
主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。
电容器主要特性参数
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。
550V的耐压测试仪测量电压为715V以上；
500V的耐压测试仪测量电压为650V以上；
450V的耐压测试仪测量电压为585V以上；
400V的耐压测试仪测量电压为520V以上；
250V的耐压测试仪测量电压为325V以上；
200V的耐压测试仪测量电压为260V以上；
160V的耐压测试仪测量电压为208V以上；
100V的耐压测试仪测量电压为125V—132V以上；
80V的耐压测试仪测量电压为100V以上；
63V的耐压测试仪测量电压为79V以上；
50V的耐压测试仪测量电压为62.5V以上；
35V的耐压测试仪测量电压为50V以上
25V的耐压测试仪测量电压为35V以上
16V的耐压测试仪测量电压为19V以上
10V的耐压测试仪测量电压为13V以上
6.3的耐压测试仪测量电压为7.5V以上
以上为85℃产品；以下为105℃产品 ：
600V的耐压测试仪测量电压为780V以上；
550V的耐压测试仪测量电压为745V以上；
500V的耐压测试仪测量电压为660V以上；
450V的耐压测试仪测量电压为595V以上；
400V的耐压测试仪测量电压为540V以上；
250V的耐压测试仪测量电压为343V以上；
200V的耐压测试仪测量电压为270V以上；
160V的耐压测试仪测量电压为222V以上；
100V的耐压测试仪测量电压为132V以上；
80V的耐压测试仪测量电压为102V以上；
63V的耐压测试仪测量电压为84V以上；
50V的耐压测试仪测量电压为66.5V以上；
35V的耐压测试仪测量电压为52.5V以上
25V的耐压测试仪测量电压为38V以上
16V的耐压测试仪测量电压为21.6V以上
10V的耐压测试仪测量电压为13.5V以上
6.3的耐压测试仪测量电压为8.2V以上）
当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。
电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
大电容工作在低频电路中的阻抗较小，小电容而比较适合工作在高频环境下。
电容的潜在危险及安全性
许多电容的等效串联电阻 (ESR) 低，因此在短路时会产生大电流。在维修具有大电容的设备之前，需确认电容已经放电完毕。为了安全上的考量，所有大电容在组装前需要放电。若是放在基板上的电容器，可以在电容器旁并联一泄放电阻 (bleeder resistor)。在正常使用的，泄放电阻的漏电流小，不会影响其他电路。而在断电时，泄放电阻可提供电容放电的路径。高压的大电容在储存时需将其端子短路，以确保其储存电荷均已放电，因为若在安装电容时,若电容突然放电，产生的电压可能会造成危险。
大型老式的油浸电容器中含有多氯联苯(poly-chlorinated biphenyl)，因此丢弃时需妥善处理，若未妥善处理，多氯联苯会进入地下水中，进而污染饮用水。多氯联苯是致癌物质，微量就会对人体造成影响。若电容器的体积大，其危险性更大，需要格外小心。新的电子零件中已不含多氯联苯。
高电压电容在超出其标称电压下工作时有可能发生灾难性的损坏。绝缘材料的故障可能会导致在充满油（通常这些油起隔绝空气的作用）的小单元产生电弧致使绝缘液体蒸发，引起电容凸出、破裂甚至爆炸，而爆炸会将易燃的油弄的到处都是、起火、损坏附近的设备。硬包装的圆柱状玻璃或塑料电容比起通常长方体包装的电容更容易炸裂，而后者不容易在高压下裂开。
被用在射频电路中和长期在强电流环境工作的电容会过热，特别是电容中心的卷筒。即使外部环境温度较低，但这些热量不能及时散发出去，集聚在内部可能会迅速导致内部高热从而导致电容损坏。
在高能环境下工作的电容组，如果其中一个出现故障，使电流突然切断，其他电容中储存的能量会涌向出故障的电容，这就即有可能出现猛烈的爆炸。
高电压真空电容即使在正确的使用时也会发出一定的X射线。适当的密封、熔融（fusing）和预防性的维护会帮助减少这些潜在的危险。
很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。下文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。
1、标称电容量(CR)：电容器产品标出的电容量值。
云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005μF10μF)；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。
2、类别温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。
3、额定电压(UR)：在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。
电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。
4、损耗角正切(tanδ)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。
这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示。图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。
这个关系用下式来表达： tanδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs 因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。
5、电容器的温度特性：通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。
6.电容器是最简单的电池，而且有充电快，容量大，等优点。
补充
1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。
3使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。
4绝缘电阻：由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。
电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。
电容分类
a.电解电容
b.固态电容
c.陶瓷电容
d.钽电解电容
e.云母电容
f.玻璃釉电容
g.聚苯乙烯电容
h.玻璃膜电容
i.合金电解电容
j.绦纶电容
k.聚丙烯电容
l.泥电解
m有极性有机薄膜电容
n.铝电解电容
5.电容的基本特性: 通交流，隔直流：通高频，阻低频。
电容一般的选用
低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态；
一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形成电感，以致影响电路的工作精度
(东莞市贴片铝电解电容封装厂家)
贴片铝电解电容封装 /铝电解电容器的寿命 /贴片铝电解电容规格
电解电容的内部结构
| 序号 No | 目录 INDEX | 页 page |
| 1 | 概述SCOPE | 1 |
| 2 | 外形尺寸图及尺寸表Case size table | 1 |
| 3 | 技术性能 SPECIFICATIONS | 1 |
| 4 | 试验方法及要求 TESTS | 2 |
| 5 | 称电容量、额定电压、额定纹波电流与外形尺寸对应表 Nominal capacitance, rated voltage, rated ripple current and case size table | 2 |
| 6 | 构造图及材料表 Frame drawing and materials | 3 |
| 7 | 标志 Marking | 4 |
| 8 | 片式铝电解电容的编带 V- Chip Type Aluminum Electrolytic Capacitors | 4 |
| 9 | 样品检验报告 Sample inspection reports | 5 |
产品规格书Product Specification
一、概述 SCOPE
本规格书适用于荣誉电子RVT系列105℃标准品。
二、外形图及尺寸表 Case size table
| |
单位:mm
| | 4 × 5.4 | 5 × 5.4 | 6.3 × 5.4 | 6.3 × 7.7 | 8× 10.5 | 10 × 10.5 |
| A | 1.8 | 2.1 | 2.4 | 2.4 | 2.9 | 3.2 |
| B | 4.3 | 5.3 | 6.6 | 6.6 | 8.3 | 10.3 |
| C | 4.3 | 5.3 | 6.6 | 6.6 | 8.3 | 10.3 |
| E | 1.0 | 1.3 | 2.2 | 2.2 | 3.1 | 4.5 |
| L | 5.4 | 5.4 | 5.4 | 7.7 | 10 | 10 |
| H | 0.5 ~ 0.8 | 0.8 ~ 1.1 | ||||
三、技术性能 Specifications
| 项目Items | 特性 Characteristics | |||||||
| 工作温度范围 Operating Temperature Range | -55℃ ~+105℃ | |||||||
| 额定电压范围 Rated Voltage Range | 6.3V ~ 50V | |||||||
| 标称电容量范围 Nominal Capacitance Range | 1 ~1000μF | |||||||
| 标称电容量允许偏差 Nominal Capacitance Tolerance | ±20%（20℃，120Hz） | |||||||
| 漏电流 Leakage Current | I≤0.01CRVR or 3(μA)，取较大者（施加额定电压2分钟） CR：标称电容量（μF） UR：额定电压（V） I≤0.01CRVR or 3(μA) Whichever is greater(After 2 minutes’ application of rated voltage CR: Nominal Capacitance (μF) UR: Rated voltages (V) | |||||||
| 损耗角正切（tgδ） Dissipation Factor (Max) 20℃, 120Hz | UR (V) | 6.3 | 10 | 16 | 25 | 35 | 50 | |
| tgδ | 0.22 | 0.19 | 0.16 | 0.14 | 0.12 | 0.10 | ||
| 耐久性 Load Life | +105℃施加额定电压1000小时后，电容器应满足以下要求： After 1000 hours’ application of rated voltage at 105℃, the capacitor shall meet the following requirement: | |||||||
| 电容量变化率 Capacitance Change | ±20%初始值以内（≤16V：±25%初始值以内） Within ±20% of the initial value(≤16V: within ±25% of the initial value) | |||||||
| 损耗角正切 Dissipation Factor | ≤ 300%初始规定值 Not more than 300% of the initial specified value | |||||||
| 漏电流 Leakage Current | ≤ 初始规定值 ot more than the initial specified value | |||||||
1
产品规格书Product Specification
| |
四、试验方法及要求 Tests
| 高温贮存 Shelf Life | +105℃ 贮存1000小时后，加额定工作电压30分钟,电容器应满足以上耐久性要求 After storage for 1000 hours at +105℃, UR to be applied for 30 minutes ,the capacitors shall meet the requirement of load life above | |||||||
| 低温特性 Low Temperature Stability 阻抗比 Impedance Ratio (120Hz) | UR (V) | 6.3 | 10 | 16 | 25 | 35 | 50 | |
| Z(-25℃)/Z(+20℃) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | ||
| Z(-40℃)/Z(+20℃) | 4 | 4 | 3 | 3 | 3 | 3 | ||
| 耐焊接热 Resistance to Soldering Heat | 在260℃的条件下，电容器在热板上保持10秒，然后从热板上取出电容器，让其在室温下恢复，电容器应满足以下要求：The capacitors shall be kept on the hot plate maintained at 260℃ for 10 seconds. After removing from the hot plate and restored at room temperature, they meet the following requirement. | |||||||
| 电容量变化率 Capacitance Change | ±10%初始值以内 Within ±10% of the initial value | |||||||
| 损耗角正切（tgδ） Dissipation Factor | ≤初始规定值 Not more than the initial specified value | |||||||
| 漏电流 Leakage Current | ≤ 初始规定值 Not more than the initial specified value | |||||||
五、标称电容量、额定电压、额定纹波电流与外形尺寸对应表
Nominal capacitance, rated voltage, rated ripple current and case size table
| 6.3 | 10 | 16 | 25 | 35 | 50 | ||||||||||||||
| D×L mm | Impedance Ω | I~ mA | D×L mm | Impedance Ω | I~ mA | D×L mm | Impedance Ω | I~ mA | D×L mm | Impedance Ω | I~ mA | D×L mm | Impedance Ω | I~ mA | D×L mm | Impedance Ω | I~ mA | |||
| 1.0 | | | | | | | | | | | | | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 4×5.4 | 5.0 | 50 | ||
| 1.5 | | | | | | | | | | | | | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 4×5.4 | 5.0 | 50 | ||
| 2.2 | | | | | | | | | | | | | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 4×5.4 | 5.0 | 50 | ||
| 3.3 | | | | | | | | | | | | | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 4×5.4 | 5.0 | 50 | ||
| 4.7 | | | | | | | | | | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | ||
| 6.8 | | | | | | | | | | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | ||
| 10 | | | | | | | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | ||
| 15 | | | | | | | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | ||
| 22 | 4×5.4 | 5.0 | 50 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | ||
| 33 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | ||
| 47 | 5×5.4 | 2.6 | 80 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | ||
| 68 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | ||
| 100 | 6.3×5.4 | 1.3 | 115 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 220 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | ||
| 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | ||
| 220 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | ||
| 330 | 6.3×7.7 | 0.8 | 150 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | | | | ||
| 470 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | | | | | | | ||
| 680 | 8×10.5 | 0.5 | 220 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | | | | | | | | | | ||
| 1000 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | 10×10.5 | 0.3 | 330 | | | | | | | | | | | | | ||
I~=Rated ripple current (mA) (105℃, 120Hz) I~=额定纹波电流（mA）（105℃，100KHz）
| 2 |
六构造图及材料表 Frame drawing and materials
| |
| 序号 No. | 部件名称 Parts | 材料名称 Material | 主要供应厂家名称 Main supply Factory |
| 1 | 引出线 | 铝线LG3+镀锡铜钢线 AL- wire LG3+Tin- plating of copper cover steel | 全用电子有限公司 QUANYONG ELECTRONIC CO., LTD. |
| 2 | 橡胶塞 | 丁基橡胶 IIR rubber | 韩国JCC JCC, Co. (KOREA) |
| 3 | PE铝壳 PE- CASE | 99.5%纯度铝 AL –99.5% | 韩国DNT DNT CO.(KOREA) |
| 4 | 阳极箔AL – foil(+) | 99.99%或99.98%形成铝箔 Formed AL 99.98% or 99.98% | 日本JCC公司 JCC Co. (JAPAN) |
| 5 | 阴极箔AL – foil(-) | 99.7%铝箔 Etched AL 99.7% | 韩国JCC公司 JCC Co. (KOREA) |
| 6 | 电解纸 Separstor paper | 电解电容器纸 Electrolytic Capacitor paper | 日本NKK 公司 NKK Co.(Japan) |
| 7 | 座板BASE | PPS | 韩国JS公司 JS Co.(KOREA) |
| 3 |
七、标志 Marking
电容器标识内容如下：
Capacitors shall be legibly marked with the following:
1）产品系列
Manufacture’s mark
2）额定电压和额定电容
Rated voltage and nominal capacitance
3）负极标识
Negative polarity
八、片式铝电解电容的编带
V- Chip Type Aluminum Electrolytic Capacitors
n 编带 Carrier tape
|
n 编带包装盘 Reel
|
铝电解电容内部结构图 以上是OST（东莞荣誉电子厂）的一个加工厂提供的。以下表格是结构图当中各个部位的详细说明：
| NO | 部件 | 所用材料 | 供应商 |
| 1 | LEAD LINE（外引线） | TINNED CP WIRE | KOJOKU |
| 2 | TERMINAL（内引线） | ALUMINUM WIRE | KOHOKU |
| 3 | RUBBER SEAL（胶封） | IIR/EPT | QIANG AN |
| 4 | AL-FOIL(+)（铝箔） | FORMED ALUMINUM FOIL | MASTUSHITA,JCC |
| 5 | AL-FOIL(-)（铝箔） | ETCHED/FORMED ALUMINUM FOIL | GUAN YE |
| 6 | CASE（电容外壳） | ALUMINUM CASE | XING YU |
| 7 | SLEEVE（塑料外皮） | PVC | QI YUAN YIN LIN |
| 8 | SEPARATOR（电解纸） | ELECTROLYTE PAPER | DA FU |
电解电容的八个基本参数详解[一]
参数一：电容值
电容值C=Q/U。
要计算主板CPU供电部位对电容容量的需求，使用如下公式：
C = I/(∆V/∆t)
假如CPU的电流I为
参数二：耐压值
耐压值是表示电容＋/－极之间的最大压差，如果出现过压现象，电容就会处于击穿状态，漏电流增大，电容内部发热巨增，电容内部的电解液会因高温变成气体致使电容内部压力增大。当这个压力超过电解电容的铝外壳承受压力的时候，电容就会发生爆炸。CPU的工作电压一般在1～2V之间，电容耐压能在4V以上就一般不会出问题，前提是电容极性不得插反！
参数三：损耗正切值
损耗正切值用tgδ表示，它是交流电压下介质中的能量损耗标称。损耗跟温度及电压有关系，损耗值越小，电容发热就越小，热量对电容的工作寿命有很大的影响。
参数四：ESR
ESR即Equivalent Series Resistance（等效串联电阻），主板CPU供电部分都是用的LOW ESR的电容，主板的CPU输入电容的ESR的要求值可根据以下公式计算：
而INTEL Pentium 4处理器的要求是取3.06GHz CPU ICC=
电容爆浆
ESR值越大，滤除纹波效果就越差，尤其市面上很多只有4—5颗输出电容的主板，将会影响主板的稳定性，用高频CPU时就更明显了。甚至还有些用较差品牌，或是没有保证的国产电容，可能还会出现象XX等厂曾出现电容爆裂现象。
参数五：纹波电流
纹波电流即RIPPLE CURRENT（也称涟波电流），电容具有“通交流，阻直流”的特性，纹波电流就是用了通交流的特性，将有害的交流成分滤掉，使直流成分更纯，有助于CPU的工作稳定。
从公式I=U/R可以看出，它是跟ESR值是成正比关系的，在同等条件下（同材料，同环境等），ESR值越低，电容的耐纹波电流能力越强，尤其是在主板开关电源部分（如，CPU的电源部分在MOS管的前端）显得尤为重要，耐纹波电流能力差，ESR值大，发热量就会增大，电容的寿命将会极大的降低，甚至很容易出现爆裂现象。
参数六：耐温值
电解电容一般耐温值有
参数七：漏电流
电容在直流的条件下也不是完全绝缘的，漏电流的要求一般为I≤0.01CU,漏电流越小越好，漏电流小，电容的发热量小。
参数八：电容寿命
电容寿命计算公式为
| Lx=Lo X 2【to-(tx+ Δ t)】/10 |
上图是TAICON的LOW ESR电容HI系列参数要求
电容的寿命跟工作温度有很大的关系，通常所说的2000小时的工作寿命，是指电容在工作温度下，如
铝电解液电容的制造过程
贴片铝电解液电容是如今的板卡上最常见的电容之一。事实上其它种类的贴片电解电容，例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似，只是阴极采用的材料不是电解液，而是固体聚合物等等。
贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容
贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤，我们就按顺序逐一为大家讲解：
第一步：铝箔的腐蚀。
假如拆开一个铝电解液电容的外壳，你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸，铝箔和电解纸贴附在一起，卷绕成筒状的结构，这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。
因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积，电容中的铝箔的表面并不是光滑的，而是经过电化腐蚀法，使其表面形成凹凸不平的形状，这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右，而经过这道工艺之后，它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的，其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟，因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。
第二步：氧化膜形成工艺。
铝箔经过电化腐蚀后，就要使用化学办法，将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质。在氧化之后，要仔细检查三氧化二铝的表面，看是否有斑点或者龟裂，将不合格的排除在外。
第三步：铝箔的切割。
这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔，切割成若干小块，使其适合电容制造的需要。
第四步：引线的铆接。
电容外部的引脚并不是直接连到电容内部，而是通过内引线与电容内部连接的。因此，在这一步当中我们就需要将阳极和阴极的内引线，与电容的外引线通过超声波键合法连接在一起。外引线通常采用镀铜的铁线或者氧化铜线以减少电阻，而内引线则直接采用铝线与铝箔直接相连。大家注意这些小小的步骤无一不对精密加工要求很高。
第五步：电解纸的卷绕。
电容中的电解液并非直接灌进电容，呈液态浸泡住铝箔，而是通过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中，选用的电解纸与普通纸张的配方有些不同，是呈微孔状的，纸的表面不能有杂质，否则将影响电解液的成分与性能。而这一步，就是将没有吸附电解液的电解纸，和铝箔贴在一块，然后卷进电容外壳，使铝箔和电解纸形成类似“
第六步：电解液的浸渍。
当电解纸卷绕完毕之后，就将电解液灌进去，使电解液浸渍到电解纸上。随着电解液配方的改进以及电解纸制造技术的提升，如今铝电解液电容的ESR值也逐渐得以提升，变成以前的若干分之一。
第七步：装配。
这一步就是将电容外面的铝壳装配上，同时连接外引线，电容到这时已经基本成型了。
第八步：卷边。
如果是那种“包皮”电容，就需要经过这一步，将电容外面包覆的PVC膜套在电容铝壳外面。不过如今使用PVC膜的电容已经越来越少，主要原因在于这种材料并不符合环保的趋势，而和性能表现没有太大关系。
第九步：组合装配。
如果是直插封装，就不需要经过这步
这是贴片铝电解电容制造的最后一步。这一步就是将SMT贴片封装工艺所需要的黑色塑料底板元件装在电容底部。对元件的要求，首先是密封效果要好；第二是耐热性能要好；第三还要具备耐化学性，不能和电容内部的电解液一类物质产生化学反应。这块小塑料板叫做“端子板”，其制造精度要求是非常高，因为一旦大小不合适，要么影响电容的密封性（过小），或者阻挡PCB上电容附近其它元件的装配（过大）。
钽二氧化锰电容的制造过程
板卡上除了常见的贴片铝电解液电容外，偶尔还会出现比其更加高档的钽二氧化锰电容，也就是我们熟悉的钽电容。钽二氧化锰电容的外观呈立方体，体积较小，与体积相对偏大，且外观为圆筒状的铝电解液电容截然不同。不仅是外观，钽二氧化锰电容的内部结构也和铝电解液电容不一样。那么，这种电容又是如何制造出来的呢？
钽电容是“高档的象征”
可以说将二氧化锰作为阴极的钽二氧化锰电容的制造过程，比将固体聚合物作为阴极的电容还要复杂。因为PPY和PEDT这类固体聚合物，只需要直接放置入电容内部，而钽二氧化锰电容内部的二氧化锰，由于溶解性较差，熔点较高，无法预先紧密贴合，所以只能用硝酸锰热分解生成。
制造钽电容首先需要高纯度的钽粉。其纯度至少应该在99.9%以上，目前这方面能达到的最高工艺是99.9999%。首先，将钽粉和有机溶剂掺杂在一起，按照一定的形状加压成形，同时埋入钽引线。
然后，在2000度以上的真空高温环境下，将掺杂有机溶剂的钽粉在真空中进行烧结变成类似于海绵的状态，同时和引线真正地融合在一起。（一定要保证真空环境，杜绝氧气，因为钽的熔点非常高，低于2000度无法熔化，而在2000度时，钽会和氧气发生剧烈反应，也就是爆炸 所以一定不能有氧气混入）
接下来就要把烧结以后的海绵状的钽进行氧化而得到介质——五氧化二钽。这一步是将海绵状的钽，泡在磷酸溶液里面电解，氧化后表面即生成五氧化二钽。五氧化二钽的介电常数非常高，在27左右，性能高于铝电解电容的三氧化二铝介质（介电常数7左右）。
然后就是阴极材质——二氧化锰的生成。这一环节，是将液态的硝酸锰加入钽块，然后将其在水蒸汽（催化剂）环境中进行热分解，分别成二氧化锰与二氧化氮。为了使氧化膜能够真正完全黏附在二氧化锰上，这道工序要进行好几次（掺入，分解，再掺入……）。硝酸锰吸附性好，生成的二氧化锰可以完全吸附在海面状钽块内部的无数个小孔当中。假如这里直接使用固体的二氧化锰，就无法达到这种效果，这就是为什么二氧化锰只能在制造过程中得到的原因。假如使用PPY/PEDT等固体聚合物，因其溶点很低，就可以直接将其熔解然后放进去。
最后要将银粉和石墨涂在二氧化锰的表面上，减少它的ESR，增强它的导电性。这一步骤看似简单，但实际也非常重要。尤其是涂层的厚薄要均匀，密度要大，否则对降低ESR帮助不大。另外使用PPY/PEDT做阴极的时候，也同样要施行这一道工序。此过程也要反复进行好多遍才可以
如此这般，钽二氧化锰电容内部的那颗“芯”就已经制作完成了。对于一些LOW ESR的高档钽二氧化锰/钽固体聚合物电容而言，厂商往往会先做好几个“芯”，然后将其并联在一起，封装成一个电容，这样其ESR值会很低，性能更加出色，当然价格也不便宜。
最后就是一些安装的工序。首先加入外引线，然后用环氧树脂进行封装。钽电容从外观上看一般有黄色和黑色两种，而它们都是环氧树脂。环氧树脂的绝缘性、机械强度、耐湿性很好，比使用铝作为外壳的失效性更低。不过铝电容也可以使用环氧树脂封装，这种铝电容的外观和钽电容是差不多的，这我们在上一篇文章里已经提到过，因此大家不能单凭外观来判断电容的阳极材质。
陶瓷电容经常出现在CPU、GPU等高频设备上
有一些朋友分不清钽电容和陶瓷电容有什么区别。其实很简单，钽电容的外壳，采用的是不导电的环氧树脂，而陶瓷电容的外壳采用的则是导电的金属。
衡量电容性能的几个重要性能参数
在熟知电容的制造全过程，了解了电容的基本构造和原理之后，我们就将面临一个新的问题——如何从参数上判断电容品质的好坏？只有掌握了这一方法，我们才能以不变应万变，即使对电容的种类和品牌本身不了解，也能通过几个参数迅速判断出其性能档次。
关于电容的参数，我们将其分为“看得到的”和“看不到的”。所谓“看得到的”，就是印在电容表面的一些基本参数，这些参数在我们看到一颗电容之后往往可以直接得知。例如电容的容量（比如“470μF”等等）、容量偏差范围、耐温范围、电压值（比如“16V”）。
所谓“看不到的”参数，就是我们需要根据电容的型号来查询的参数。例如我们常说的ESR值，如今已成为区别电容性能的重要参数，而我们在电容上是看不到这个参数的，我们得去相关的网站通过电容的型号来查询。类似的参数还有不少，其中包括如下一些：
1.ESR值；
2.能够耐受的涟波电流值；
3.温度特性；
4.损耗角的正切（TAN），相当于无功功率和有功功率的比值，这个值跟电容的品质以及发热量有关系，这个值越小电容性能越好。
5.漏电流值：无论绝缘体多大，总是会有细微的电流漏过电容，这个值则代表具体漏过的多少。
此外，ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展，现在的高档电解电容，其ESL特性一般都很好，到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别，因此也就失去了比较的意义。
电容ESR的意义 ESR缘何重要？
首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢？由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。
例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在
此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言，0.2V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对于1.8V的CPU而言，同样是0.2V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
那么ESR值与涟波电压的关系何在呢？我们可以用以下公式表示：
V=R（ESR）×I
这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调LOW ESR的缘故。
上图就是一个典型的滤波电路。其中的SW IC相当开关电源，将输入的5V直流电转换为3.3V直流电。而电路的L/C部分则构成电路的低通滤波器，目的就是尽量滤去直流电中的涟波电压。
而上图的表格则表明了，在L/C部分使用不同种类电容的情况下，这个电路中涟波电压的表现情况。可以看出，具有LOW ESR性能的铝固体聚合物导体电容（左边），其消除涟波电压的性能最强，钽二氧化锰电容（右边）性能次之，铝电解液电容（中间）表现最差。同时最后的数值还将受温度影响，这点我们还将在后面详细说明。
温度与电容性能的密切关系
电容的性能并非一成不变，而是会受到环境的影响，而对电容影响最大的就是温度。而在不同种类的电容当中，采用电解液作为阴极材质的电容例如铝电解液电容，受温度影响又最为明显。因为在不同种类的阴极，例如电解液、二氧化锰、固体聚合物导体当中，只有电解液采用离子导电方式，而其余几种均采用电子导电方式。对于离子导电而言，温度越高，其离子活动越强，电离程度也越强。因此，在温度不超过额定限度的前提下，电解液电容在高温状态下的性能要比低温状态下更好。
上图代表25摄氏度下，三种电容降低涟波电压的能力（电路可以以上一章节中的电路图为参考）。其中第一个表格所使用的OSCON SVP铝固体聚合物导体电容（1颗，100μF，ESR=40毫欧姆） ），第二个表格所使用的是低阻抗铝电解液电容（3颗并联），第三个表格使用的是低阻抗钽电容（2颗并联）。
从表格中可以看出，在25摄氏度的常温状态下，三者所产生的涟波电压分别是22.8/23.8/24.8mV。也就是说，1颗铝固体聚合物导体电容，在25摄氏度下降低涟波电压的能力，大致相当于2颗钽电容和3颗铝电解液电容。
上图同样是这三种电容，同一电路，在70摄氏度下降低涟波电压的表现。可以看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能改变都不大，依然保持在24~25mV左右，但是3颗铝电解液电容并联下的涟波电压降低到了16.4mV，这时只需要并联两颗这种电容，即可达到25摄氏度状态下的25mV左右水平，其性能提升巨大。
下面我们就要看低温环境下这三种电容的表现了。上图是在零下20摄氏度下三种电容的成绩。可以看出，在低温环境下，铝电解液电容的性能降低得非常厉害。3颗并联状态下的涟波电压由25摄氏度下的23.8mV猛增到了57.6mV。要将涟波电压降低到和25摄氏度相同的数值，需要并联7颗这种电容。相比之下我们还能看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能，无论是在25度、70度还是-20度环境下，其波动都不大。
从以上分析我们不难看出，铝电解液电容的ESR值受温度影响是极其明显的。上面的图表则直接画出了不同种类电容，在不同温度状态下的ESR曲线。其中铝电解液电容（蓝色线）随温度（Y轴）的增加，ESR值（X轴）降低明显。而铝固体聚合物导体电容（紫色线）和钽电容（绿色线）以及高档陶瓷电容（红色线）则近似于直线，其ESR值受温度影响不大。而普通陶瓷电容（粉红线）则受温度影响较大。
这里需要说明的是，上表中用做比较的铝固体聚合物导体电容，其容量较小（只有100μF），而且ESR并不太低（40毫欧）。如换上大容量，ESR更低的同类产品，最终性能表现将更加突出。
如何计算电容寿命
在电容的表面，会标明一个温度数据，例如125等等。这个温度，代表着该电容所能承受的最高温度，在这一最高温度下，电容一般只能保证正常工作1000个小时左右。而通过这个温度数值，我们可以使用公式计算出该电容在其它不同温度环境下的寿命。
铝固体聚合物导体电容的计算公式：
L2=L1×10^[（t1-t2）/20]（方括号内的算式结果作为10的幂，下同）
其中L2表示实际使用中电容的寿命，单位为小时、L1表示最高温度下的寿命（1000小时）、T1代表该电容所标明的最高工作温度（例如上面所说的125）、T2代表实际使用的温度（例如85度等等）。
假设一颗最高工作温度为125度的铝固体聚合物导体电容，在85度下工作，那么它的寿命，通过计算我们可以得出L2=1000x10的2次方=100000小时，也就是说大约能工作11年左右。
铝电解液电容的计算公式：
L2=L1×2^[（t1-t2）/10]
假设一颗最高工作温度为125度的铝电解液电容，在85度下工作，那么它的寿命，通过计算我们可以得出L2=1000x2的4次方=16000小时，也就是说大约只有不到2年。
荣誉電子專注於電容器相關領域，目前所經營的業務主要有鋁電解電容.薄膜電容.陶瓷電容.超級電容器的加工製造開發與生產等。公司自成立以來，在全體員工的共同努力下，產品及服務已逐步銷售到了國內各級市場並逐步出口到了歐、美、中東及港澳臺等海外的多個國家及地區，且以較高的性價比贏得了用戶的好評與認可。 东莞荣誉电子有限公司全国免费电话接入:13427820351传真Fax:86-0769-85359269
以高质量的产品赢得客户的尊敬
以满意的服务赢得客户的信赖
3、持续创新
企业总是处在危机当中，创新是我们的立身之本
管理机制的创新是一切创新的基础
技术创新是保持行业领先的驱动力
持续改进也是创新
鼓励创新，允许犯错
4、高效执行
注重结果，没有借口
快速反应，马上行动
做事做到位，做事做彻底
5、员工和公司共成长
尊重每一位员工
公司与个人的利益休戚相关
重视员工培训，激发员工潜能
给认同公司核心价值观的员工创造发展机会
6、团队与合作
整体利益高于局部利益，团队荣誉高于个人荣誉
坦诚的沟通和主动的协作是团队成功的基础
跨部门团队是实现组织目标的有效形式
7、职业精神
敬业、专业和责任感是我们倡导的职业精神
| 电容器的基本功能——充电和放电 |
| |
| |
| 充电和放电是电容器的基本功能： 充电 使电容器带电（储存电荷和电能）的过程称为充电。这时电容器的两个极板总是一个极板带正电，另一个极板带等量的负电。把电容器的一个极板接电源（如电池组）的正极，另一个极板接电源的负极，两个极板就分别带上了等量的异种电荷。充电后电容器的两极板之间就有了电场，充电过程把从电源获得的电能储存在电容器中。 放电 使充电后的电容器失去电荷（释放电荷和电能）的过程称为放电。例如，用一根导线把电容器的两极接通，两极上的电荷互相中和，电容器就会放出电荷和电能。放电后电容器的两极板之间的电场消失，电能转化为其它形式的能。 电容器 在一般的电子电路中，常用电容器来实现旁路、耦合、滤波、振荡、相移以及波形变换等，这些作用都是其充电和放电功能的演变。 |
电容器在电路中的作用
在直流电路中，电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。
这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）[1]构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对绝缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是绝缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。
陶制电容器
但是，在交流电路中，因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而 电 容器充放电的过程是有时间的， 这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化的函数。实际上，电流是通过场的形式在电容器间通过的。
在中学阶段，有句话，就叫通交流，阻直流，说的就是电容的这个性质。
电容的作用:
1）旁路
旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2）去藕
去藕，又称解藕。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
3）滤波
从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。
4）储能
储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器
低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态；
一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形成电感，以致影响电路的工作精度。
电容器标称电容值
E24 E12 E6 E24 E12 E6 1.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.3
1.1 3.6
1.2 1.2 3.9 3.9
1.3 4.3
1.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.7
1.6 5.1
1.8 1.8 5.6 5.6
2.0 6.2
2.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.8
2.4 7.5
2.7 2.7 8.2 8.2
3.0 9.1
注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。
主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。
电容器主要特性参数
1、标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。
2、额定电压
在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系（ 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上；550V的耐压测试仪测量电压为715V以上；
500V的耐压测试仪测量电压为650V以上；
450V的耐压测试仪测量电压为585V以上；
400V的耐压测试仪测量电压为520V以上；
250V的耐压测试仪测量电压为325V以上；
200V的耐压测试仪测量电压为260V以上；
160V的耐压测试仪测量电压为208V以上；
100V的耐压测试仪测量电压为125V—132V以上；
80V的耐压测试仪测量电压为100V以上；
63V的耐压测试仪测量电压为79V以上；
50V的耐压测试仪测量电压为62.5V以上；
35V的耐压测试仪测量电压为50V以上
25V的耐压测试仪测量电压为35V以上
16V的耐压测试仪测量电压为19V以上
10V的耐压测试仪测量电压为13V以上
6.3的耐压测试仪测量电压为7.5V以上
以上为85℃产品；以下为105℃产品 ：
600V的耐压测试仪测量电压为780V以上；
550V的耐压测试仪测量电压为745V以上；
500V的耐压测试仪测量电压为660V以上；
450V的耐压测试仪测量电压为595V以上；
400V的耐压测试仪测量电压为540V以上；
250V的耐压测试仪测量电压为343V以上；
200V的耐压测试仪测量电压为270V以上；
160V的耐压测试仪测量电压为222V以上；
100V的耐压测试仪测量电压为132V以上；
80V的耐压测试仪测量电压为102V以上；
63V的耐压测试仪测量电压为84V以上；
50V的耐压测试仪测量电压为66.5V以上；
35V的耐压测试仪测量电压为52.5V以上
25V的耐压测试仪测量电压为38V以上
16V的耐压测试仪测量电压为21.6V以上
10V的耐压测试仪测量电压为13.5V以上
6.3的耐压测试仪测量电压为8.2V以上）
3、绝缘电阻
直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。
电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
4、损耗
电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
5、频率特性
随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。大电容工作在低频电路中的阻抗较小，小电容而比较适合工作在高频环境下。
电容的潜在危险及安全性
危险
在电容充电后关闭电源，电容内的电荷仍可能储存很长的一段时间。此电荷足以产生电击，或是破坏相连结的仪器。一个抛弃式相机闪光模组由1.5V AA 干电池充电，看似安全，但其中的电容可能会充电到300V，300V 的电压产生的电击会使人非常疼痛，甚至可能致命。许多电容的等效串联电阻 (ESR) 低，因此在短路时会产生大电流。在维修具有大电容的设备之前，需确认电容已经放电完毕。为了安全上的考量，所有大电容在组装前需要放电。若是放在基板上的电容器，可以在电容器旁并联一泄放电阻 (bleeder resistor)。在正常使用的，泄放电阻的漏电流小，不会影响其他电路。而在断电时，泄放电阻可提供电容放电的路径。高压的大电容在储存时需将其端子短路，以确保其储存电荷均已放电，因为若在安装电容时,若电容突然放电，产生的电压可能会造成危险。
大型老式的油浸电容器中含有多氯联苯(poly-chlorinated biphenyl)，因此丢弃时需妥善处理，若未妥善处理，多氯联苯会进入地下水中，进而污染饮用水。多氯联苯是致癌物质，微量就会对人体造成影响。若电容器的体积大，其危险性更大，需要格外小心。新的电子零件中已不含多氯联苯。
高电压电容潜在的危险
在高电压和强电流下工作的电容有着超出一般的危险。高电压电容在超出其标称电压下工作时有可能发生灾难性的损坏。绝缘材料的故障可能会导致在充满油（通常这些油起隔绝空气的作用）的小单元产生电弧致使绝缘液体蒸发，引起电容凸出、破裂甚至爆炸，而爆炸会将易燃的油弄的到处都是、起火、损坏附近的设备。硬包装的圆柱状玻璃或塑料电容比起通常长方体包装的电容更容易炸裂，而后者不容易在高压下裂开。
被用在射频电路中和长期在强电流环境工作的电容会过热，特别是电容中心的卷筒。即使外部环境温度较低，但这些热量不能及时散发出去，集聚在内部可能会迅速导致内部高热从而导致电容损坏。
在高能环境下工作的电容组，如果其中一个出现故障，使电流突然切断，其他电容中储存的能量会涌向出故障的电容，这就即有可能出现猛烈的爆炸。
高电压真空电容即使在正确的使用时也会发出一定的X射线。适当的密封、熔融（fusing）和预防性的维护会帮助减少这些潜在的危险。
很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。下文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。
1、标称电容量(CR)：电容器产品标出的电容量值。
云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005μF10μF)；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。
2、类别温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。
3、额定电压(UR)：在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。
电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。
4、损耗角正切(tanδ)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。
这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示。图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。
这个关系用下式来表达： tanδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs 因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。
5、电容器的温度特性：通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。
6.电容器是最简单的电池，而且有充电快，容量大，等优点。
补充
1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）/mju:/、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。
3使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。
4绝缘电阻：由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。
电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。
电容分类
a.电解电容 b.固态电容
c.陶瓷电容
d.钽电解电容
e.云母电容
f.玻璃釉电容
g.聚苯乙烯电容
h.玻璃膜电容
i.合金电解电容
j.绦纶电容
k.聚丙烯电容
l.泥电解
m有极性有机薄膜电容
n.铝电解电容
5.电容的基本特性: 通交流，隔直流：通高频，阻低频。
电容一般的选用
低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态； 一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形成电感，以致影响电路的工作精度
(东莞市贴片铝电解电容封装厂家)
贴片铝电解电容封装 /铝电解电容器的寿命 /贴片铝电解电容规格
更多精品
【铝电解电容规格书 】【贴片铝电解电容封装】
面议
贴片电解电容封装贴片铝电解电容封装
面议
贴片铝电解电容封装 /铝电解电容器的寿命 /贴片铝电解电容规格
面议
贴片铝电解电容封装尺寸定义索 贴片铝电解电容封装
面议
铝电解电容最新行情常用贴片铝电解电容的封装
面议
供应铝电解电容封装
面议
贴片铝电解电容
￥ 0.17
供应铝电解电容铝电解电容贴片电容
面议
供应贴片铝电解电容
面议