IGBT突波吸收电容 01UF1200VCDIGBT保护电容 | |
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗, | |
多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。 | |
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路 | |
材料特性 | |
电容结构: | 双层金属化膜,内部串联结构 |
封装: | 阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准. |
尺寸: | 适合于各种IGBT保护 。 |
(可按客户需求定制特殊规格) | |
电气特性 | |
电容量: | 0.0047 to 6.8μF,参考表格数据 |
额定电压: | 700 to 3000 Vdc |
损耗角正切: | 测试条件 1000±20 Hz , 25±5℃. |
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4 | |
绝缘电阻: | 3000s,s= MΩ. μF 测试条件 1 minute,100Vdc (25±5℃) |
耐电压: | 2Ur (DC)测试条件 10s,t 25±5℃,1Min |
工作温度: | -40~+85℃ |
PLB-耦合隔直电容器,直流滤波电容
额定电压:40-1200vdc
电容量: 20-50uF
等效串联电阻 低等效串联电感 高纹波电流
1.6倍过压能力 高有效电流处理能力,长寿命
高性价比,大纹波电流,高纹波电压能力
广泛应用于电机驱动、牵引、逆变焊机、焊机电源,电镀电源等设备中输入输出滤波以及高频高纹波电流用,
高纹波电流,高稳定性,低损耗,具有自愈性 .