供应单晶硅坩埚加工制造技术专题/法单晶硅/制备单晶硅/单晶类资料
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成都市
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关键字：直拉法单晶硅生产用石英坩埚；利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法；提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法；直拉硅单晶制备用坩埚；用于硅单晶炉的坩埚轴传动部件。
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以下所有技术资料集成在一张光盘内，是PDF格式的电子图书（非视频或录像)，光盘自带浏览器，所有Windows电脑均可查看，可以快递光盘也可以通过QQ、旺旺或电子邮件传送。化工、材料、医药类的资料包括原材料的配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括详细的设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址、权利要求等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
技术编号 技术名称
(编号:CC1000212-0005-0001) 利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法
[技术摘要] 本发明针对一种用于制备形式为晶锭或晶片的单晶硅的方法，其中使用坩埚旋转来控制该晶体中的尤其是位于或接近该中心轴线处的平均轴向温度梯度G0
[技术摘要] 一种硅酸铋（Ｂｉ１２
[技术摘要] 本实用新型提供了直拉硅单晶制备用坩埚，它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造硅单晶生长的方法中，本坩埚支撑装有多晶硅料的石英埚。它包括：坩埚上部、与下轴连接的埚底，所述的坩埚上部为一加强圈，它支撑在埚底的凸台上，该凸台位于石英坩埚转弯的下方。本实用新型的优点是：该坩埚重量轻、易安装，它的使用寿命与原有结构的坩埚相当。
[技术摘要] 本实用新型提供了直拉硅单晶制备用坩埚，它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造的硅单晶生长方法中，硅晶体在生长室内生长。这种直拉硅单晶制备用坩埚包括：坩埚上部、与下轴连接的埚底，所述的坩埚上部的内侧沿坩埚的轴心等分多块拼装加强圈，另一外圈套在加强圈外。本实用新型优点是：该坩埚重量轻、宜安装，它的使用寿命与原有结构的坩埚相当。
[技术摘要] 本发明涉及一种单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法，该方法采用针*炭布准三向结构预制体；通过化学气相沉积和糠酮树脂浸渍炭化以及热等静压沥青浸渍炭化相结合的致密工艺，反复致密处理数次，制品密度≥1.83g/cm3
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技术编号 技术名称
(编号:CC1000212-0005-0001) 利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法
[技术摘要] 本发明针对一种用于制备形式为晶锭或晶片的单晶硅的方法，其中使用坩埚旋转来控制该晶体中的尤其是位于或接近该中心轴线处的平均轴向温度梯度G0
资
(编号:CC1000212-0001-0002) 硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长[技术摘要] 一种硅酸铋（Ｂｉ１２
料
(编号:CC1000212-0002-0003) 直拉硅单晶制备用坩埚[技术摘要] 本实用新型提供了直拉硅单晶制备用坩埚，它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造硅单晶生长的方法中，本坩埚支撑装有多晶硅料的石英埚。它包括：坩埚上部、与下轴连接的埚底，所述的坩埚上部为一加强圈，它支撑在埚底的凸台上，该凸台位于石英坩埚转弯的下方。本实用新型的优点是：该坩埚重量轻、易安装，它的使用寿命与原有结构的坩埚相当。
来
(编号:CC1000212-0003-0004) 一种直拉硅单晶制备用坩埚[技术摘要] 本实用新型提供了直拉硅单晶制备用坩埚，它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造的硅单晶生长方法中，硅晶体在生长室内生长。这种直拉硅单晶制备用坩埚包括：坩埚上部、与下轴连接的埚底，所述的坩埚上部的内侧沿坩埚的轴心等分多块拼装加强圈，另一外圈套在加强圈外。本实用新型优点是：该坩埚重量轻、宜安装，它的使用寿命与原有结构的坩埚相当。
源
(编号:CC1000212-0006-0005) 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法[技术摘要] 本发明涉及一种单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法，该方法采用针*炭布准三向结构预制体；通过化学气相沉积和糠酮树脂浸渍炭化以及热等静压沥青浸渍炭化相结合的致密工艺，反复致密处理数次，制品密度≥1.83g/cm3
W
(编号:CC1000212-0007-0006) 直拉法单晶硅生产用石英坩埚N
(编号:CC1000212-0008-0007) 用于硅单晶炉的坩埚轴传动部件D
(编号:CC1000212-0004-0008) 提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法售后服务：
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