大量批发 MEM2301XG 2302XG 小封装MOSFEL 场效应管

南京微盟电子有限公司是国家 "909"工程（超大规模集成电路工程）设计中心之一。创建于1999年7月1日，由国家开发投资公司属下的中国华大集成电路设计(集团)有限责任公司、熊猫电子集团有限公司和江苏省创业投资有限公司共同投资组建，注册资本为7500万元。公司主要从事专用模拟集成电路芯片产品的研制、开发和销售，产品应用于信息家电、无线通信、数字通讯和网络技术等领域。|公司以振兴我国信息产业和集成电路工业为己任，建立现代化、国际化高新技术产业为目标，（充分利用国家对高新技术产业发展的优惠政策，抓住机遇，）坚持以人为本、自主开发、充分利用社会各方人才、信息和技术资源，采取投资合作、共同开发等多种形式，专注于集成电路设计，建立公司产品研发、创新体系。||"以人为本 上下同谋 精诚合作"是我们的经营理念，经过全体员工的不懈努力，公司获得首批国家集成电路企业及省市高新技术企业的认定，在团队建设、产品开发、质量控制、客户服务等方面获得了较大突破。2002年通过了ISO9001：2000质量管理体系认证，保证以的产品质量和大的技术支持提供给客户。

MEM2301描述:
MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2301这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路，这种低损耗可采用小尺寸封装。
MEM2301特点:
? -20V/-2.8A
? RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
? RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
? 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
? 超小封装：SOT23
MEM2301应用:
? 电源管理
? 负载开关
? 电池保护
南京微盟MOS管产品列表：
产品名称 通道  VDS(Max)  VGS  ID  电流  导通电阻  封装形式
MEM2306 NMOS 20V 10V 5A 23mΩ  SOP8
MEM2301 PMOS －20V -8V -3.1A 100mΩ  SOT23
MEM2303 PMOS -30V -12V -4.3V 50mΩ  SOT23
MEM2310 NMOS 30V 12V 5.7A 32mΩ  SOT23
MEM2307 PMOS -30V -20V -4.3A 78mΩ  SOT23
MEM2309 PMOS -30V -20V -6A 53mΩ  SOP8/SOT89
MEM2311 PMOS －30V －20V －6A 53mΩ  SOP8
MEM2302 NMOS 20V 8V 3A 29mΩ  SOT23
MEM8205 NMOS 20V 12V 6A 20mΩ  TSSOP8/SOT26
MEM2318 NMOS 20V 12V 6A 19mΩ  TSSOP8/SOT26

 

(深圳市MEM2301XG 2302XG厂家)
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