氮化铝靶材AlN磁控溅射靶材 氮化铝靶材AlN氧化铟锡靶材

科研实验专用氮化铝靶材AlN磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

     氮化铝（AlN）属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色，是共价键化合物，原子晶体。氮化铝应用於光电工程，包括在光学储存介面及电子基质作诱电层，在高的导热性下作晶片载体，以及作军事用途。由于氮化铝压电效应的特性

产品参数
中文名 氮化铝            沸点 2249
化学式 AlN                熔点 2200℃
密度 3.235g/cm3      纯度 99.99%

产品介绍

     ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。

产品参数
中文名 氧化铟锡        化学式 In2O3-SnO2     
分子量 428.343         熔点 287℃
密度 1.2g/ml             纯度 99.99%

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服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库