检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 直流参数 MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品; 检测电压:7500V 检测电流:6000A 国标,IEC 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半导体器件等单管器件 检测电压:2500V 检测电流:200A 美军标 栅电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻0.1Ω~50Ω JEDEC 开关时间
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