IGBT第三代半导体器件电参数测长禾
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西安市
产品详情（西安市IGBT第三代半导体器件电参数测厂家）
品牌：
FLUKE/福禄克
型号：
长禾
加工定制：
是
类型：
线材测试仪
关键词：西安市IGBT第三代半导体器件电参数测厂家
产品参数
品牌：FLUKE/福禄克 型号：长禾 加工定制：是 类型：线材测试仪
产品特点
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流1800A 12V IEC 客户自定义 高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度150℃； 电压2000V 美军标， 设备满足各个等级的试验要求 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 潮气敏感度等级试验（MSL） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *可焊性试验（Solderability） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
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(西安市IGBT第三代半导体器件电参数测厂家)
IGBT第三代半导体器件电参数测长禾
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