可用于GaN、ZnO等的外延生长。
材料的输运采取了超纯的气路系统,源的切换和输入采用了多路组合阀进气技术。由于组合阀具有极小的死空间,使得源的残留量非常少,有利于生长具有陡峭界面的材料。
采用压差控制技术控制组合阀的旁路和主路之间的压力,大大降低了源的压力和浓度波动,有利于材料生长的重复性和稳定性。
采用了管道镶嵌式进气喷头,使反应源在衬底表面均匀混合并反应,大大降低了预反应的发生。
采用电阻式快速升降温加热炉。
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