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铝钕靶材主要是用于平面显示器、触摸屏的玻璃基板电极层的镀膜。目前主要是 用真空熔炼和热压烧结方法研发和生产小尺寸平面靶，大尺寸靶是通过小尺寸拼接形成。 由于不是一体化（需要拼接）容易产生电弧放电，因此成膜质量差，难以真实应用到高质量 的显示屏、触摸屏上。尽管，人们已经采用真空熔炼生产空心铝钕靶靶管，并通过铟焊绑定 到不锈钢背管上生产铝钕旋转靶材。由于铟焊料昂贵（占整个靶材成本50% )导致铝钕 旋转靶材的成本高；另一方面，由于是一节节靶管拼接而成存在节缝，在使用时容易形成电 弧放电，降低成膜质量。此外，由于采用低熔点的铟焊接，靶材使用时发热，容易导致脱靶现 象，还有铝钕靶管焊接时热收缩不容易控制，焊接难度大。 在19世纪末，ITO薄膜的研究工作开始真实地发展了起来，当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜。而关于透明导电材料的研究进入一个新的时期，则是在第二次大战期间，主要应用于飞机的除冰窗户玻璃。而在1950年，第二种透明半导体氧化物In2O3初次被制成，特别是在In2O3里掺入锡以后，使这种材料在透明导电薄膜方面得到了普遍的应用，并具有广阔的应用前景。目前制备ITO薄膜的方法有很多种，如低电压溅射、直流磁控溅射和HDAP法。将ITO玻璃进行加工处理、经过镀膜形成电极。从设备所占市场份额看，AMAT的产品覆盖了整个产业链，众多产品市场占有率处于****水平。包括PVD沉积设备（84.9%），P设备（66%）。离子注入设备（73%）领域处于****水平。此外，泛林的刻蚀机市场占有率达到52.7%。膜时提高衬底温度以加大薄膜晶粒尺寸,优化薄膜结晶性能。靶材。 随着芯片的使用范围越来越广泛，芯片市场需求数量增长，对于铝、钛、钽、铜这四种业界主流的薄膜金属材料的需求也一定会有增长。种薄膜金属材料的其他方案，所以这四种材料目前看不到被替代的风险。在竞争格局上，由于溅射镀膜工艺起源于国外，所需要的溅射靶材产品性能要求高，产主要集中在美国、日本少数几家公司，产业集中度相当高。以霍尼韦尔（美国）、日矿金属（日本）、东曹（日本）等为代表的溅射靶材生产商占据大部分国家绝大部分市场份额。握溅射靶材生产的核心技术以后，实施极其严格的保密措施，限制技术扩散，同时不断进行横向扩张和垂直整合，将业务触角积极扩展到溅射镀膜的各个应用领域。市场的主动权，并带领着大部分国家溅射靶材行业的技术进步。绑定。