供应羧酸铜加工工艺技术专题/脱氢制备羧酸/制备羧酸/羧酸铜类资料
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成都市

成都万宁达科技有限公司

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第  13  年
产品详情(成都市羧酸铜加工工艺技术专题厂家)
关键字:改性非晶态铜合金催化剂使伯醇脱氢制备羧酸盐的方法;制备羧酸;用羧酸铜作氧化剂通过胺的氧化羰基化反应以制备氨基甲酸酯;有机膦稳定的羧酸铜(I)配合物和合成方法及其应用;具有脱除硫醇作用的羧酸铜型树脂材料。

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光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示,我们仅列出前5项技术的摘要信息,更多信息将以光盘形式提供):
         技术编号                             技术名称
(编号:CC1061894-0012-0001) 复合铜箔、其制法和使用其的敷铜箔层压板和印刷线路板
[技术摘要] 本发明提供一种复合箔,它在金属载体层和超薄铜箔间有一层有机剥离层。其制备方法包括在金属载体层上沉积有机剥离层,然后用电沉积在有机剥离层上形成超薄铜箔层。有机剥离层以含氮化合物、含硫化合物或羧酸为宜,它们能提供均匀的粘合强度,足以防止加工和层压过程中载体和超薄铜箔的分离,但此粘合强度明显小于铜/底材粘合的剥离强度,以致于复合箔与绝缘底材层压后能容易地除去载体。本发明还包括由这些复合箔制得的层压板和由层压板制得的印刷线路板。

(编号:CC1061894-0029-0002) 用于制备覆铜积层板的聚酰亚胺聚合物及其制备方法
[技术摘要] 本发明是有关于一种用于制备覆铜积层板的聚酰亚胺聚合物及其制备方法,其制备是将芳香族四羧酸二酐及芳香族二胺溶于极性非质子溶剂中,无须添加无机填充物,以反应**聚酰胺酸溶液,接着加热该聚酰胺酸溶液以进行亚酰胺化反应而得到本发明的聚酰亚胺聚合物。其中,本发明的聚酰亚胺聚合物的热膨胀系数介于约10至约30ppm/℃之间。藉由本发明的方法,可以得到具有良好的尺寸安定性及较佳的抗撕裂性、耐弯折性和透明性的聚酰亚胺覆铜积层板。

(编号:CC1061894-0003-0003) 铜络合物杀细菌剂/杀真菌剂及其制造方法
[技术摘要] 本发明公布了一种改进的铜络合物杀细菌剂/杀真菌剂以及制造和使用它们的方法。这种改进的杀细菌剂/杀真菌剂的制备方法如下:先制备一种部分中和的,水溶性的,分子量大约在1000—300000之间,pH大约在3—9之间的聚羧酸的水溶液。向此水溶液中加入一种含铜化合物,该含铜化合物当与上述水溶液结合时将释放出二价铜离子,该铜离子将与上述部分中和的聚羧酸形成一种水溶性络合物,这种水溶性络合物施用于植物可防治或抑制细菌性和真菌性病害在其上的生长。

(编号:CC1061894-0022-0004) 用于铜的低下压力抛光的组合物和方法
[技术摘要] 本发明提供了适用于在至少小于20.68kPa的下压力下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物,该组合物包含1至15wt%的氧化剂,0.1至1wt%的非铁金属抑制剂,0.05至3wt%该非铁金属的配位剂,0.01至5wt%的羧酸聚合物,0.01至5wt%的改性纤维素,0.05至10wt%的含磷化合物和0至10wt%的研磨剂,其中该含磷化合物可增加铜的去除。

(编号:CC1061894-0031-0005) 一种纳米芳香酸铜盐的制备方法及装置
[技术摘要] 本发明涉及一种纳米芳香酸铜盐的制备方法及装置。以芳香酸的皂化液和可溶性铜盐为原料,配制成溶液作为反应物,经泵将送入撞击流接触器,两股液体相向高速撞击,形成撞击雾面,发生沉淀结晶反应,反应液进入转动填料层进一步混合均匀,二次反应得到浅**的凝胶。该凝胶经过保温熟化、过滤、洗涤和干燥得到纳米芳香酸铜盐。本发明所述方法使带有苯环的羧酸制备芳香酸铜盐达到分子级的混合,短时间内形成高的过饱和度,反应成核时形成细小的晶核。获得的纳米芳香酸铜盐晶粒可控、尺度均匀、分散性好,适用于热敏记录材料、纸张染色、防腐材料及消炎药等。

(编号:CC1061894-0040-0006) 含铜基底的化学机械抛光方法
(编号:CC1061894-0008-0007) 含羟基吡啶硫铜锌的无凝胶油漆
(编号:CC1061894-0004-0008) 新的铜锌电镀浴,印刷电路板铜箔及其表面处理方法
(编号:CC1061894-0025-0009) 含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物
(编号:CC1061894-0034-0010) 使用无机氧化物磨料提高铜的平面化的组合物和方法
(编号:CC1061894-0045-0011) 用于抛光镶嵌结构中的铝 铜及钛的组合物
(编号:CC1061894-0024-0012) 氯化铜(Ⅰ)的制造原料和方法及还原性气体吸附剂、吸附方法和一氧化碳气体的回收方法
(编号:CC1061894-0043-0013) 一种在铜质换热器表面固载离子液体的方法
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(编号:CC1061894-0041-0014) 带底漆树脂层的铜箔及使用该铜箔的层压板
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(编号:CC1061894-0036-0015) 研磨用组合物、研磨方法及半导体集成电路用铜配线的制造方法
8
(编号:CC1061894-0035-0016) 焦磷酸盐镀铜作为无氰镀铜的打底电镀液
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(编号:CC1061894-0016-0017) 含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物
6
(编号:CC1061894-0044-0018) 制备含有铜的金属有机骨架材料的方法
6
(编号:CC1061894-0015-0019) 改性非晶态铜合金催化剂使伯醇脱氢制备羧酸盐的方法
9
(编号:CC1061894-0028-0020) 铜膜的成膜方法
2
(编号:CC1061894-0009-0021) 缩二脲无氰碱性镀铜方法
3
(编号:CC1061894-0005-0022) 金属表面活性剂相转移制高活性合成甲醇铜-锌 氧化铝催化剂的方法
3
(编号:CC1061894-0039-0023) 用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效**抑制剂的含水清洗组合物
1
(编号:CC1061894-0020-0024) 手性铜络合物、其制备方法及其用途
6
(编号:CC1061894-0038-0025) 表面具有镀铜覆膜的稀土类永久磁铁的制造方法
(编号:CC1061894-0021-0026) 单偶氮或双偶氮铜络合物染料
1
(编号:CC1061894-0037-0027) 预催化剂向催化活性银钒氧化物青铜的转化
8
(编号:CC1061894-0010-0028) 卤化铜酞菁粗颜料向有用的颜料态的转化
9
(编号:CC1061894-0018-0029) 耐热性的聚酰亚胺聚合物及其覆铜电路板
8
(编号:CC1061894-0007-0030) 稀土镍基贮氢合金粉的化学镀铜液配方及化学镀铜方法
2
(编号:CC1061894-0014-0031) 由铜合金制成的自来水管件的选择性除铅的工艺及除铅液
1
(编号:CC1061894-0042-0032) 用于铜制材料的置换镀金液及使用其的镀金方法
9
(编号:CC1061894-0002-0033) 用羧酸铜作氧化剂通过胺的氧化羰基化反应以制备氨基甲酸酯
0
(编号:CC1061894-0019-0034) 用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效**抑制剂的含水清洗组合物
2
(编号:CC1061894-0032-0035) 双轴取向的共聚酯膜及其含有铜的层压制品
3
(编号:CC1061894-0011-0036) 用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
0
(编号:CC1061894-0023-0037) 用于抛光铜的组合物和方法
(编号:CC1061894-0027-0038) 具有脱除硫醇作用的羧酸铜型树脂材料
(编号:CC1061894-0030-0039) 有机膦稳定的羧酸铜(I)配合物和合成方法及其应用
(编号:CC1061894-0017-0040) 铜*粒分散液及其制造方法
(编号:CC1061894-0006-0041) 相转移制由甲酸甲酯合成甲醇铜-铬催化剂的方法
(编号:CC1061894-0013-0042) 手性铜络合催化剂组合物及用其进行不对称制备的方法
(编号:CC1061894-0026-0043) 铜酞菁染料液体制剂
(编号:CC1061894-0001-0044) 用歧化法进行铜的无氨沉积
(编号:CC1061894-0033-0045) 热塑性聚酰亚胺组合物与双面软性铜箔基板的制作方法


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