供应掺杂剂材料生产制作技术专题/掺杂剂层/掺杂多孔碳材料类资料
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成都市

成都万宁达科技有限公司

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第  13  年
产品详情(成都市掺杂剂材料生产制作技术专题厂家)
关键字:包含分离的掺杂剂层的激光热转印给体;一种氮掺杂多孔碳材料的制备方法;利用挤压的承载掺杂剂材料制备太阳能电池;

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光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示,我们仅列出前5项技术的摘要信息,更多信息将以光盘形式提供):
         技术编号                             技术名称
(编号:CC1064947-0037-0001) 一种铕掺杂的磷酸锌铵橙红色发光粉材料及其制备方法
[技术摘要] 本发明属于稀土发光材料技术领域、具体涉及一种铕掺杂的磷酸锌铵橙红色发光粉材料的制备方法。本发明采用溶剂热反应法,通过控制溶剂来控制基质磷酸锌铵的合成,采用不同的表面活性剂来控制产品的形貌。该反应工艺通过合理的控制反应温度、时间和其他条件,得到橙红发光材料。本发明提供的制备方法简单易行,可操作性强,具有可控性和定量化的特点,且所得产品的发光性能良好;本方法得到的产品具有规则的形貌,并且随溶剂和表面活性剂的改变,产品的形貌和发光性能都呈现规律性的变化。本发明制得的产品可广泛应用于节能荧光灯,发光涂料等领域。

(编号:CC1064947-0024-0002) 采用球磨对本征态聚苯胺进行机械掺杂的方法
[技术摘要] 本发明公开了一种高分子材料加工技术领域的采用球磨对本征态聚苯胺进行机械掺杂的方法,在球磨机中对掺杂剂和本征态聚苯胺进行机械掺杂,其中掺杂剂与聚苯胺中所含苯胺单元的摩尔比值为0.3-1.0,球磨温度为-196℃-100℃,球磨转速为100转/分钟-1000转/分钟;对上述机械掺杂所得掺杂态聚苯胺直接进行干燥,或在洗涤、分离去除残余的掺杂剂之后进行干燥。本发明工艺简单、效率高、环境友好,易于批量生产,所得的掺杂态聚苯胺具有良好的导电性、溶解性和热稳定性。

(编号:CC1064947-0051-0003) 一种金属掺杂低密度聚-4-**-1-戊烯泡沫材料及其制备方法
[技术摘要] 本发明提供了一种金属掺杂低密度聚-4-**-1-戊烯泡沫材料及其制备方法。采用本发明的制备方法制备金属掺杂低密度聚合物泡沫,需将溶剂/非溶剂体系和金属粉末混合,加热熔化,搅拌形成含金属粉末的分散体系;用超声波分散其中的金属粉末;再在分散体系中加入聚-4-**-1-戊烯,加热溶解后转入模具后,以一定的速率降温,冷凝得到固体混合物;将固体混合物加工成所需形状,再经真空干燥或超临界萃取,得到结构均匀的金属掺杂低密度聚-4-**-1-戊烯泡沫。采用本发明制备的金属掺杂低密度聚-4-**-1-戊烯泡沫材料,掺杂均匀性好,掺杂元素含量高,可以实现一种金属元素掺杂或多种元素同时掺杂。

(编号:CC1064947-0138-0004) 酸掺杂导电聚苯胺材料的制备方法
[技术摘要] 酸掺杂导电聚苯胺材料的制备方法,在氨基磺酸体系下,将苯胺经过引发剂引发聚合,合成氨基磺酸掺杂的聚苯胺,氨基磺酸是一种两性的表面活性剂,稳定性很高,不易挥发,所制备的氨基磺酸掺杂的导电聚苯胺具有良好的电化学性能及化学稳定性,产物电阻可以控制。

(编号:CC1064947-0077-0005) 一种钕掺杂钛酸铋纳米线阵列铁电存储材料及其合成方法
[技术摘要] 本发明涉及一种在基片上定向生长高c轴取向的钕掺杂钛酸铋[(Bi,Nd)4

(编号:CC1064947-0026-0006) 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
(编号:CC1064947-0127-0007) 用于δ掺杂多层结构的掺杂剂校准的方法
(编号:CC1064947-0158-0008) 镧掺杂纳米钡铁氧体薄膜及其制备方法
(编号:CC1064947-0012-0009) 包含具有多个给体-π-受体体系掺杂剂的光学非线性活性波导材料
(编号:CC1064947-0115-0010) 基于磷位掺杂的磷酸铁锂正极材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0186-0011) 聚有机酸或大分子有机酸掺杂聚苯胺材料及其电化学制备方法
(编号:CC1064947-0110-0012) 高机械稳定性非金属元素掺杂有序介孔碳材料的合成
(编号:CC1064947-0008-0013) 掺杂剂和含有其的导电聚合物材料
(编号:CC1064947-0073-0014) 制造掺杂稀土光纤的方法
(编号:CC1064947-0165-0015) 稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法
(编号:CC1064947-0188-0016) 用于掺杂太阳能电池制造中使用的化合物层的工艺
(编号:CC1064947-0112-0017) 一种掺杂磷酸锆钙系荧光材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0090-0018) 纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化铅的制备方法
(编号:CC1064947-0154-0019) 一种同时掺杂氟离子和金属离子的磷酸亚铁锂正极材料的制备方法
(编号:CC1064947-0094-0020) 低温法制备碳掺杂介孔二氧化钛可见光光催化剂
(编号:CC1064947-0173-0021) 钙掺杂介孔氧化锆**的制备方法
(编号:CC1064947-0192-0022) 具有可见光响应的碳氮掺杂二氧化钛光催化剂及其制备方法
(编号:CC1064947-0152-0023) SAPO-5分子筛孔道中**氮掺杂碳纳米管材料及合成方法
(编号:CC1064947-0171-0024) 一种锂离子电池用尖晶石型掺杂锂锰氧化物的制备方法
(编号:CC1064947-0157-0025) 钒掺杂纳米二氧化钛催化剂的制备方法
(编号:CC1064947-0020-0026) 经掺杂的碳氟化合物材料的激光烧蚀及其应用
(编号:CC1064947-0197-0027) 采用丝网印刷技术制备氮掺杂可见光光催化剂的方法
(编号:CC1064947-0126-0028) 由基质和掺杂材料组成的混合物,及由其构成层的方法
(编号:CC1064947-0150-0029) 一种发光可调控的铕离子掺杂硅基介孔材料的制备方法
(编号:CC1064947-0183-0030) 一种钒掺杂型钛基*气脱硝催化材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0014-0031) 具有碳掺杂接触层的光学器件
(编号:CC1064947-0091-0032) 纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化铅的制备方法
(编号:CC1064947-0074-0033) 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
(编号:CC1064947-0168-0034) 制备掺杂的有机半导体材料的方法以及在该方法中使用的配方物
(编号:CC1064947-0007-0035) 纳米锑掺杂的二氧化锡水性浆料及其制备方法
(编号:CC1064947-0190-0036) 有机 无机酸复合掺杂导电聚苯胺的制备方法
(编号:CC1064947-0129-0037) 高掺杂浓度的碳化硅外延生长的方法
(编号:CC1064947-0196-0038) 一种可见光活性硼镍共掺杂二氧化钛固溶体催化剂及制备方法
(编号:CC1064947-0199-0039) 采用丝网印刷技术制备氮掺杂可见光光催化剂的方法
(编号:CC1064947-0018-0040) 含多种掺杂剂的锂锰氧化物化合物及其制备方法的化合物,其中0<X<0.5[A]
(编号:CC1064947-0180-0041) 半导体结构中应变和活化的掺杂剂的光-反射特性刻画方法
(编号:CC1064947-0100-0042) 陶瓷电容器介质材料掺杂剂、介质材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0101-0043) 具有碳掺杂氧化钛层的多功能材料
(编号:CC1064947-0095-0044) 一种X射线激发的掺杂稀土离子的钨酸盐闪烁发光材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0166-0045) 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法
(编号:CC1064947-0064-0046) 含有补偿掺杂剂的GaAs激光窗口材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0084-0047) 采用电沉积-浸涂-热处理工艺制备掺杂物的金属氧化物电极材料
(编号:CC1064947-0105-0048) 用于电互连的掺杂合金、其制造方法及其用途
(编号:CC1064947-0179-0049) 金属掺杂的类金刚石表面离子液体润滑剂自组装润滑薄膜的制备方法
(编号:CC1064947-0078-0050) 一种掺杂的纳米α-氢氧化镍及其制备方法
(编号:CC1064947-0075-0051) 一种碱金属与钙多元掺杂的钛酸铅湿敏材料及制备工艺
(编号:CC1064947-0092-0052) 新型水溶性自掺杂聚苯胺接枝共聚物
(编号:CC1064947-0099-0053) 一种氧化钐掺杂稳定氧化锆纳米材料的制备方法
(编号:CC1064947-0151-0054) 一种掺杂导电磷化物的磷酸亚铁锂正极材料的制备方法
(编号:CC1064947-0145-0055) SiC单晶低维纳米材料可控掺杂
(编号:CC1064947-0080-0056) 碱金属掺杂铜催化剂及用于制备一维碳纳米材料的方法
(编号:CC1064947-0176-0057) 一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法
(编号:CC1064947-0015-0058) 手性掺杂剂
(编号:CC1064947-0107-0059) 材料的选择性掺杂
(编号:CC1064947-0148-0060) 一种氮掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法
(编号:CC1064947-0130-0061) 钼钨掺杂阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的方法
(编号:CC1064947-0103-0062) 沸石-碳掺杂氧化物复合低K电介质
(编号:CC1064947-0153-0063) 超塑性纳米氧化物掺杂的氧化锌压敏陶瓷材料及制备方法
(编号:CC1064947-0114-0064) 一种过渡金属掺杂氧化锌晶体及其水热法生长方法
(编号:CC1064947-0004-0065) 掺杂纳米二氧化钛陶瓷膜的制备方法
(编号:CC1064947-0194-0066) 以铜渣提取物为主要原料制备多元掺杂磷酸铁锂的方法
(编号:CC1064947-0093-0067) 制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米*的方法
(编号:CC1064947-0060-0068) 一种新型的掺杂铈离子中孔二氧化钛电流变液材料
(编号:CC1064947-0059-0069) 一种稀土掺杂改性聚酯材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0128-0070) 掺杂和未掺杂的空*和电子传输层的材料
(编号:CC1064947-0049-0071) 含有掺杂柱的高压功率MOSFET
(编号:CC1064947-0119-0072) 稀土掺杂钛酸钡电子功能陶瓷及其制备方法
(编号:CC1064947-0038-0073) 新型导电剂掺杂 包覆的磷酸铁锂材料和制备方法
(编号:CC1064947-0198-0074) 采用丝网印刷技术制备氮掺杂可见光光催化剂的方法
(编号:CC1064947-0046-0075) 稀土掺杂铈酸锶纳米晶薄膜的制备方法
(编号:CC1064947-0088-0076) 一种Sc(Ⅲ)掺杂的尖晶石型锰酸锂电池正极材料的制备方法
(编号:CC1064947-0117-0077) 一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法
(编号:CC1064947-0174-0078) 具有低价态掺杂剂的金属氧化物的纳米线的制备方法
(编号:CC1064947-0081-0079) 包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法
(编号:CC1064947-0066-0080) 具有增强活性的掺杂吸附材料
(编号:CC1064947-0108-0081) 掺杂材料的方法和掺杂的材料
(编号:CC1064947-0160-0082) 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池
(编号:CC1064947-0033-0083) p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法
(编号:CC1064947-0113-0084) 一种过渡金属掺杂氧化锌晶体及其水热法生长方法
(编号:CC1064947-0147-0085) 成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法
0
(编号:CC1064947-0141-0086) 一种纤维增强无机物掺杂含氟质子交换膜
2
(编号:CC1064947-0200-0087) 用于IBIIIAVIA族化合物层的掺杂技术
8
(编号:CC1064947-0131-0088) 共掺杂纳米管光催化材料的制备方法
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(编号:CC1064947-0085-0089) 掺杂稀土元素的基质材料
6
(编号:CC1064947-0087-0090) 溶胶-凝胶法制备钕掺杂锆钛酸铅纳米**工艺
6
(编号:CC1064947-0021-0091) 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
9
(编号:CC1064947-0044-0092) 一种能杀菌和自洁净的涂掺杂锌的二氧化钛薄膜的玻璃
2
(编号:CC1064947-0135-0093) 一种铕或铽离子掺杂的正磷酸镧纳米发光体的制备方法
3
(编号:CC1064947-0053-0094) 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
3
(编号:CC1064947-0006-0095) 制造高掺杂硅单晶的方法
1
(编号:CC1064947-0187-0096) 过渡金属Mn掺杂的ZnSe量子点的水相合成方法
6
(编号:CC1064947-0140-0097) 一种掺杂四氧化三钴的制备方法
(编号:CC1064947-0011-0098) 钨酸锌晶体的掺杂去色工艺
1
(编号:CC1064947-0132-0099) 一种Mn掺杂ZnS纳米结构的制备方法
8
(编号:CC1064947-0156-0100) 掺杂的有机半导体材料
9
(编号:CC1064947-0043-0101) 粒子半导体材料的掺杂
8
(编号:CC1064947-0137-0102) 多元掺杂锰酸锂正极片及其生产方法
2
(编号:CC1064947-0109-0103) 一种氮掺杂纳米结构二氧化钛的制备方法
1
(编号:CC1064947-0149-0104) 高介电Y5V型三稀土掺杂钛酸钡陶瓷材料及其制备方法
9
(编号:CC1064947-0089-0105) 纳米级银和锑或银和铋掺杂的硒化铅及其制备方法
0
(编号:CC1064947-0002-0106) 含有手性掺杂剂的液晶显示器
2
(编号:CC1064947-0069-0107) 光催化活性碘掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法
3
(编号:CC1064947-0056-0108) 一种四氯苯醌 三苯基磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜及其制备方法
0
(编号:CC1064947-0068-0109) 光催化活性氮掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法
(编号:CC1064947-0029-0110) 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法
(编号:CC1064947-0142-0111) 铂钌掺杂La系稀土元素多相催化剂的制备方法
(编号:CC1064947-0050-0112) 一种用于形成如图5所示具有衬底(2)、带有至少一个沟槽(52)的电压维持外延层(1)、以及邻接并环绕该沟槽的掺杂区(5a)的功率半导体器件的方法
(编号:CC1064947-0076-0113) 稀土掺杂的硼磷酸钡闪烁发光材料及其制备方法与应用
(编号:CC1064947-0082-0114) 一种多孔**掺杂的硅石气凝胶隔热材料的制备方法
(编号:CC1064947-0118-0115) 稀土掺杂钛酸钡电子功能陶瓷及其制备方法
(编号:CC1064947-0071-0116) 光催化活性氟掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法
(编号:CC1064947-0164-0117) 稀土掺杂钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法
(编号:CC1064947-0072-0118) 光催化活性溴掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法
(编号:CC1064947-0106-0119) 用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
(编号:CC1064947-0013-0120) 将掺杂的多晶材料转化成单晶材料
(编号:CC1064947-0143-0121) 部分液相沉淀法制备稀土掺杂的钇铝石榴石纳米**的方法
(编号:CC1064947-0098-0122) 包层掺杂型弥散光纤
(编号:CC1064947-0125-0123) 成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法
(编号:CC1064947-0005-0124) 加强离子掺杂玻璃部件粘合接头粘合强度和耐久性的方法
(编号:CC1064947-0067-0125) 一种氮掺杂氧化钛介孔光催化材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0193-0126) 具有可见光响应的掺杂中空硫化锌光催化剂及其制备方法
(编号:CC1064947-0185-0127) 多级结构铈掺杂二氧化钛介孔材料的制备以及在光催化和CO氧化中的应用
(编号:CC1064947-0096-0128) 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
(编号:CC1064947-0001-0129) 回收离子注入掺杂剂量*控片的方法
(编号:CC1064947-0055-0130) 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法
(编号:CC1064947-0036-0131) 镁钽酸锆钛酸铅陶瓷的掺杂改性方法
(编号:CC1064947-0169-0132) 包括p掺杂有机半导体的电子元件
(编号:CC1064947-0031-0133) 多元掺杂的高性能氧化铍陶瓷材料及制备方法
(编号:CC1064947-0047-0134) 掺杂过渡金属离子的二氧化钛电流变液材料
(编号:CC1064947-0065-0135) 一种氮和铟共掺杂制备空*型氧化锌薄膜的方法
(编号:CC1064947-0040-0136) 包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法
(编号:CC1064947-0061-0137) 稀土掺杂铈酸锶纳米晶陶瓷的制备方法
(编号:CC1064947-0159-0138) 一种金属掺杂氧化锌纳米颗粒包覆碳纳米管的方法
(编号:CC1064947-0048-0139) 防雷用多元掺杂改性氧化锌压敏材料
(编号:CC1064947-0016-0140) 适用于硅太阳能电池及其它器件的自掺杂负电极和正电极的方法和设备
(编号:CC1064947-0070-0141) 光催化活性氯掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法
(编号:CC1064947-0058-0142) 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
(编号:CC1064947-0184-0143) 一种制备掺杂二氧化钒**材料的方法
(编号:CC1064947-0124-0144) 高氮掺杂竹节状碳纳米管材料及合成方法
(编号:CC1064947-0009-0145) 气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
(编号:CC1064947-0116-0146) 锑掺杂氧化锡纳米晶的制备方法
(编号:CC1064947-0191-0147) 锂离子电池的锂位钠掺杂型磷酸铁锂正极材料及其制备方法
(编号:CC1064947-0170-0148) 包括p掺杂有机半导体的电子元件
(编号:CC1064947-0032-0149) 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
(编号:CC1064947-0027-0150) 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
(编号:CC1064947-0083-0151) 复合酸掺杂导电聚苯胺制备方法
(编号:CC1064947-0139-0152) 一种疏水性染料掺杂二氧化硅纳米粒子的制备方法
(编号:CC1064947-0025-0153) 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
(编号:CC1064947-0054-0154) 用于形成掺杂玻璃材料的反应物气流的系统
(编号:CC1064947-0034-0155) 含用金属元素掺杂的钛氧化物的基材表面处理用溶液或分散液,采用上述液体的基材表面处理法,以及采用该法得到的表面处理材料
(编号:CC1064947-0041-0156) 包含可释放掺杂剂的粒子
(编号:CC1064947-0086-0157) 掺杂纳米氧化锌及其制备方法和光催化降解有机物和抗菌的应用
(编号:CC1064947-0017-0158) 掺杂的气味控制材料
(编号:CC1064947-0181-0159) 一种稀土掺杂荧光功能化介孔材料的制备方法
(编号:CC1064947-0175-0160) 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
(编号:CC1064947-0028-0161) 用于形成具有空间均匀性掺杂杂质的SiC晶体的方法和系统
(编号:CC1064947-0019-0162) 掺杂稀土元素的基质材料
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