漏电结构离子工艺生产技术专题资料光盘
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成都市
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光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
序号 技术名称
1 主动式有机发光二极管的画素结构
[技术摘要] 本发明是关于一种主动式有机发光二极管的画素结构，其例如是由一有机发光二极管、一资料配线、一**配线、一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管及一储存电容器所构成。其中开关薄膜晶体管具有一第一浅掺杂汲极，而驱动薄膜晶体管具有一第二浅掺杂汲极，且第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是大于第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。藉由该主动式有机发光二极管的画素结构可降低开关薄膜晶体管内的漏电流，并能够改善驱动薄膜晶体管的扭折效应，而可提供一较佳的显示效果。
2 在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱结构的方法
[技术摘要] 在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱(Split Well)结构的新型方法，有效地解决了分阱结构21与超高密度设计之间的矛盾。该方法利用杂质补偿原理，透过接触孔22进行高能量N型离子注入18和快速退*，在阱区7中央的底部形成分阱结构21。本工艺通过将接触孔22过刻蚀至硅表面23以下，有效地降低了后续N型离子注入18所需的能量，减少了阱区7的注入损伤，降低了器件漏-源泄漏电流。此外，通过沿Z方向实现分阱结构21，可以获得更高的集成度。采用该新型分阱技术，器件导通电阻、坚固性、体二极管反向恢复特性以及器件长期可靠性之间的折中设计，得到了极大地改进。
3 沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法
[技术摘要] 本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，对沟槽进行光刻、刻蚀、栅氧化层热生长后，只进行一次多晶硅的淀积、回刻，通过在淀积的多晶硅上光刻、高能量、大束流氧离子注入、高温退*形成多晶硅间氧化层，将位于多晶硅间氧化层上面邻近多晶硅间氧化层间缺口周边的一层多晶硅刻光，从而分离成第一层和第二层多晶硅，然后进行氮化硅生长、高密度等离子体氧化膜淀积，再通过高密度等离子体氧化膜化学机械研磨至氮化硅表面、少许氧化层湿法剥离、去掉多晶硅顶部氮化硅；最终形成沟道体、源极及接触孔、金属层和钝化层。本方法实现的沟槽型双层栅功率MOS结构两层多晶硅侧壁之间不易漏电。
[技术摘要] 本发明提供一种半导体装置以及形成一半导体结构的方法。该半导体装置包含有一基底以及一元件阵列。该元件阵列具有数个晶体管。该等晶体管的栅极大致设置于一栅方向。每个该等晶体管具有由数次离子注入所形成的数个袋形区。每个该等离子注入的旋转角度大约与该栅方向垂直。每个晶体管是形成于一阱区，且每个晶体管的该等袋形区与该相对应的阱区具有一样的导电型。本发明所述半导体装置以及形成一半导体结构的方法，可明显的改善漏电流。且光致抗蚀剂图案变异问题，就不会影响掺杂浓度，所以元件可以匹配的更好，而存储单元的效能也可以更好。
[技术摘要] 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极叠层；在邻接于该栅极叠层处形成含硅化合物应力源，其中该含硅化合物应力源还包括额外元素，该额外元素可与硅形成化合物；将在低温下不会形成硅化物的离子注入至该含硅化合物应力源内，以对该含硅化合物应力源的上部进行非晶化；当该含硅化合物应力源的上部为晶化态时，在该含硅化合物应力源上形成金属层；以及进行退*工艺，使得该金属层与该含硅化合物应力源反应而形成硅化物区。本发明利用具有分散锗的功能的PAI工艺，能够避免漏电流增加，减少不同硅化合物之间的厚度差异。
20 栅极结构的制造方法
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本套资料包括专利技术全文资料20份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费200元全国市区范围可免费货到付款。
订购电话：028-66923316-1(分机) 在线订购QQ:459046209
值班电话：18982190230/15328023369 （周一至周六18：00以后，周日及法定节假日全天）
以上所有技术资料集成在一张光盘内，是PDF格式的电子图书（非视频或录像)，光盘自带浏览器，所有Windows电脑均可查看，可以快递光盘也可以通过QQ、旺旺或电子邮件传送。化工、材料、医药类的资料包括原材料的配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括详细的设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址、权利要求等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
(成都市漏电结构离子厂家)
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序号 技术名称
1 主动式有机发光二极管的画素结构
[技术摘要] 本发明是关于一种主动式有机发光二极管的画素结构，其例如是由一有机发光二极管、一资料配线、一**配线、一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管及一储存电容器所构成。其中开关薄膜晶体管具有一第一浅掺杂汲极，而驱动薄膜晶体管具有一第二浅掺杂汲极，且第二浅掺杂汲极的离子掺杂浓度是大于第一浅掺杂汲极的离子掺杂浓度。藉由该主动式有机发光二极管的画素结构可降低开关薄膜晶体管内的漏电流，并能够改善驱动薄膜晶体管的扭折效应，而可提供一较佳的显示效果。
2 在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱结构的方法
[技术摘要] 在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱(Split Well)结构的新型方法，有效地解决了分阱结构21与超高密度设计之间的矛盾。该方法利用杂质补偿原理，透过接触孔22进行高能量N型离子注入18和快速退*，在阱区7中央的底部形成分阱结构21。本工艺通过将接触孔22过刻蚀至硅表面23以下，有效地降低了后续N型离子注入18所需的能量，减少了阱区7的注入损伤，降低了器件漏-源泄漏电流。此外，通过沿Z方向实现分阱结构21，可以获得更高的集成度。采用该新型分阱技术，器件导通电阻、坚固性、体二极管反向恢复特性以及器件长期可靠性之间的折中设计，得到了极大地改进。
3 沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法
[技术摘要] 本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，对沟槽进行光刻、刻蚀、栅氧化层热生长后，只进行一次多晶硅的淀积、回刻，通过在淀积的多晶硅上光刻、高能量、大束流氧离子注入、高温退*形成多晶硅间氧化层，将位于多晶硅间氧化层上面邻近多晶硅间氧化层间缺口周边的一层多晶硅刻光，从而分离成第一层和第二层多晶硅，然后进行氮化硅生长、高密度等离子体氧化膜淀积，再通过高密度等离子体氧化膜化学机械研磨至氮化硅表面、少许氧化层湿法剥离、去掉多晶硅顶部氮化硅；最终形成沟道体、源极及接触孔、金属层和钝化层。本方法实现的沟槽型双层栅功率MOS结构两层多晶硅侧壁之间不易漏电。
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4 半导体装置以及形成一半导体结构的方法[技术摘要] 本发明提供一种半导体装置以及形成一半导体结构的方法。该半导体装置包含有一基底以及一元件阵列。该元件阵列具有数个晶体管。该等晶体管的栅极大致设置于一栅方向。每个该等晶体管具有由数次离子注入所形成的数个袋形区。每个该等离子注入的旋转角度大约与该栅方向垂直。每个晶体管是形成于一阱区，且每个晶体管的该等袋形区与该相对应的阱区具有一样的导电型。本发明所述半导体装置以及形成一半导体结构的方法，可明显的改善漏电流。且光致抗蚀剂图案变异问题，就不会影响掺杂浓度，所以元件可以匹配的更好，而存储单元的效能也可以更好。
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5 半导体结构及其形成方法[技术摘要] 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极叠层；在邻接于该栅极叠层处形成含硅化合物应力源，其中该含硅化合物应力源还包括额外元素，该额外元素可与硅形成化合物；将在低温下不会形成硅化物的离子注入至该含硅化合物应力源内，以对该含硅化合物应力源的上部进行非晶化；当该含硅化合物应力源的上部为晶化态时，在该含硅化合物应力源上形成金属层；以及进行退*工艺，使得该金属层与该含硅化合物应力源反应而形成硅化物区。本发明利用具有分散锗的功能的PAI工艺，能够避免漏电流增加，减少不同硅化合物之间的厚度差异。
电
6 像素单元的FD有源区结构及其制备方法及CMOS图像传感器话
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9 具套管的静电消除喷嘴结构8
10 改善浅沟隔离漏电的方法及浅沟隔离结构|
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12 半导体装置以及形成一半导体结构的方法6
13 薄膜晶体管的制造方法及结构9
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15 沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法3
16 预防双重金属镶嵌结构的金属漏电的氮化物阻障层3
17 多栅极结构的薄膜晶体管及其制作方法1
18 **自行对准硅化物残留的测试窗结构6
19 形成半导体器件的钝化膜的方法以及这种钝化膜的结构20 栅极结构的制造方法
订购本套资料光盘请记录此编号：CC1065502
本套资料包括专利技术全文资料20份，全部包括在一张光盘内。本套资料共收费200元全国市区范围可免费货到付款。
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