沟槽结构加工生产技术专题资料光盘
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光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
序号 技术名称
1 形成浅沟槽隔离(STI)的方法及其结构
[技术摘要] 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法以减少应力改善电子迁移，其中该方法包括：提供一半导体基底，具有至少一图案化硬掩模层于其上；利用该至少一图案化硬掩模层进行干蚀刻制程以在该半导体基底中形成一沟槽；形成一或多个内衬层于该沟槽表面上，该内衬层可择自二氧化硅/氮化硅、二氧化硅/氮氧化硅、二氧化硅/氮化硅/氮氧化硅、氮化硅/氮氧化硅或氮氧化硅/氮化硅；形成一或多个沟槽填充材料层(例如：以二氧化硅回填充该沟槽)于内衬层上；进行热回*步骤以释放沟槽填充槽材料中所累积的应力；进行化学机械研磨以及干蚀刻制程以移除沟槽表面上多余的填充材料；以及移除该至少一图案化硬掩模层。
2 牵伸下罗拉的沟槽齿形结构
[技术摘要] 本发明涉及一种牵伸下罗拉的沟槽齿形结构，属于纺织机械技术领域。所述沟槽齿形是滚压轧制而成，沟槽齿形的截面外轮廓由罗拉外圆构成的齿顶弧长、与齿顶弧长光滑过渡连接的曲线以及与该曲线相切的齿底弧长构成。本发明牵伸下罗拉的沟槽齿形其沟槽工作面是光滑过渡，改善了皮辊磨损状况，延长皮辊的使用寿命，而且增加皮辊与罗拉沟槽工作面的接触面积，提高对纱线握持力，而且沟槽工作面与皮辊的握持力变化较为均匀，减少纺纱过程中的机械波，纺纱质量得到大幅度提高。
3 浅沟槽隔离结构的制备方法
[技术摘要] 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其利用三个刻蚀工艺形成一梯状的氮化硅形貌作为浅沟槽刻蚀的掩膜，使得后续浅沟槽内表面氧化时利用越薄的氮化硅对氧化的**性能越差，达到顶角圆滑化制备出较光滑的硅和氧化硅界面。
4 高温钛合金复杂沟槽结构面板与法兰液相扩散连接方法
[技术摘要] 本发明提供了一种高温钛合金复杂沟槽结构面板与法兰液相扩散连接方法，包括以下步骤：(1)对被焊件高温钛合金复杂沟槽结构面板和法兰进行焊前表面处理；(2)将中间层材料点焊于面板或法兰的表面；(3)将被焊件安装在焊接夹具上；(4)放置在真空炉内，被焊接件升温至连接温度后中间层材料熔化形成液态、保温，低于连接温度时中间层材料与被焊接件表面凝固，在凝固后扩散处理温度时保温，随炉冷却。使用本发明的方法，使中间层材料在连接温度下熔化形成液态并与被焊件之间发生快速扩散，在低于连接温度下保温进行凝固后扩散处理形成牢固的接头，从而实现了高温钛合金复杂沟槽结构面板与法兰的连接。
5 形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法
[技术摘要] 一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供依次带有垫氧化层和**阻挡层的半导体衬底；在**阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀**阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和**阻挡层为罩幕，刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；去除掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除**阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种形成浅沟槽的刻蚀方法。本发明在**阻挡层上形成刻蚀过程中保护**阻挡层的掩膜层，使刻蚀气体对**阻挡层不会产生影响，**阻挡层的厚度也不发生变化，从而使浅沟槽隔离结构的隔离效果提高。
6 在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱结构的方法
7 一种形成浅沟槽隔离结构的方法
8 浅沟槽形成方法及浅沟槽结构
9 一种带有密封沟槽的机械密封结构
10 具有较低栅极电荷结构的沟槽MOSFET
11 浅沟槽隔离结构的保护方法及应用于其的保护层
12 浅沟槽隔离结构的制造方法
13 浅沟槽隔离结构平坦化性能检测方法
14 去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法
15 窄半导体沟槽结构
16 浅沟槽隔离结构的制造方法
17 浅沟槽结构及其填充方法
18 具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
19 用于使用多晶硅的沟槽DMOS器件的源极和本体连接结构
20 沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法
21 自对准沟槽累加模式场效应晶体管结构及其制造方法
22 一种CMOS浅沟槽结构及其制作方法
23 带放大栅极氧化物完整结构的半导体沟槽器件
24 包括沟槽电容器和沟槽电阻器的半导体结构
25 具有沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
26 混凝土轨枕承轨槽部位直坡沟槽挡肩结构
27 风扇衬套的油沟槽改良结构
28 具有沟槽介质结构的空气过滤装置及其过滤方法
29 浅沟槽隔离结构的制造方法
30 混合光学和电子束光刻制造层的共对准的沟槽结构及方法
31 浅沟槽隔离的沟槽形成方法和半导体结构
32 具表面弧形铣沟槽体的导线端子压著部结构
33 配线地板的沟槽铺片结构
34 在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
35 形成沟槽隔离结构的方法
36 隔离沟槽的结构及其制造方法
37 具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
38 制造浅沟槽隔离结构（STI）的方法
39 测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构
40 外*芯沟槽为可变式*芯结构
41 用于控制半导体结构中沟槽轮廓的技术
42 沟槽DMOS晶体管结构的制造方法
43 于深沟槽中形成浅沟槽隔离结构的方法及该方法的应用
44 浅沟槽隔离结构
45 掩模层与浅沟槽隔离结构的形成方法
46 采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构
47 浅沟槽隔离的形成方法及浅沟槽隔离结构
48 一种沟槽型功率晶体管的沟槽结构的形成方法
49 混合取向基板上用于嵌入的沟槽存储器的结构及制造方法
50 沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
51 具有沟槽栅极结构的半导体器件
52 具有*孔和沟槽二元结构的**滤嘴***纸
53 浅沟槽隔离结构、形成方法及研磨方法
54 浅沟槽隔离工艺方法及浅沟槽隔离结构
55 凹进的浅沟槽隔离结构氮化物衬垫及其制造方法
56 相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法
57 电抛光具有带虚设结构的沟槽或者通路的晶片上的金属层
58 制作浅沟槽隔离结构的方法
59 具铣沟槽体的导线端子压著部结构
60 制作沟槽半导体器件的方法及其结构
61 具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其方法
62 与CMOS兼容的浅沟槽e-熔丝结构及其制造方法
63 自对准浅沟槽隔离结构、存储器单元及其形成方法
64 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
65 放置千斤顶和工具的容器及用于放置该容器的沟槽结构
66 用于浅沟槽隔离的双制衬的方法与结构
67 改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构
68 包括沟槽中的纳米晶体存储元件的可编程结构
69 沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法
70 沟槽式分离栅只读性闪存存储单元结构形成方法以及操作方法
71 用于半导体装置的具有不同程度圆角的沟槽隔离结构及其制造方法
72 形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构
73 制造浅沟槽隔离结构的方法和半导体器件
90 具有SiGe Si沟道结构的功率沟槽MOSFET
102 半导体器件、浅沟槽隔离结构形成方法
103 蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置
104 浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法
105 深沟槽电容器结构的制造方法
106 作为热管毛细结构之覆盖式细*沟槽的制造方法
107 具有*孔和沟槽二元结构的**滤嘴***纸
108 用于形成**栅极沟槽FET的结构和方法
109 浅沟槽隔离结构的制造方法
110 沟槽应变抬升源 漏结构及其制造方法
111 沟槽电容结构
112 形成沟槽隔离结构的方法
113 绝缘结构及其形成方法、以及浅沟槽绝缘结构的形成方法
114 自对准沟槽MOSFET结构和制造方法
115 浅沟槽隔离结构的形成方法
116 用于形成具有包括氮化层的极间电介质的**栅沟槽FET的结构和方法
117 复合式化学机械研磨法与浅沟槽隔离结构的制造方法
118 浅沟槽隔离工艺中库伊效应的测试结构及**方法
119 浅沟槽隔离结构的形成方法
120 减少浅沟槽隔离结构电流泄漏的方法
121 沟槽结构半导体装置
122 浅沟槽隔离结构及其形成方法
123 具有耳廓形沟槽的迷宫密封结构
124 一种*纳深沟槽结构测量装置
125 增强的浅沟槽隔离结构及其制作方法
126 提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法
127 具有沟槽栅结构的半导体器件及其制造方法
128 沟槽电容结构及其制作方法
129 平面型沟槽功率电感结构与制造方法
130 填充高纵横比沟槽隔离区的方法和所得的结构
131 具有用沟槽结构分隔的*透镜阵列的图*传感器及制造方法
132 具有沟槽式毛细**的热管管身结构
133 浅沟槽隔离结构的制造方法
134 浅沟槽隔离结构的形成方法
135 一种沟槽机抬*装置的改进结构
136 沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法
137 在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法
138 牵伸下罗拉的沟槽齿形结构
139 浅沟槽隔离结构的形成方法
140 浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法
141 不等深度*纳沟槽结构成形方法
142 带有*沟槽翅结构的毛细泵吸冷却装置及其制造方法
143 隔离沟槽的结构
144 深沟槽型功率MOS管静电保护结构制造方法
145 一种可改善*笑效应的沟槽隔离结构制作方法
146 梯形沟槽O环超高压密封结构
147 沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法
148 浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法
149 组合式水沟槽座结构
150 沟槽形栅极的MIS器件的结构和制造方法
151 用于形成沟槽隔离结构的方法
152 测量亚*米沟槽结构的方法
153 浅沟槽隔离结构及其形成方法
154 沟槽式电容器的结构及其制造方法
155 沟槽器件的自对准接触结构
156 具有沟槽边缘终端结构的半导体器件
157 *浅绝缘沟槽结构制备法
158 用于精确化深沟槽电阻测量的结构和方法
159 用于在沟槽栅极FET内形成横向延伸电介质层的结构及方法
160 用于SOC应用的高密度沟槽式非易失性随机访问SONOS存储单元的结构及制造方法
161 具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
162 高压组件的浅沟槽隔离结构的制造方法
163 形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法
164 具有沟槽结构的半导体器件及其制造方法
165 浅沟槽隔离结构的制造方法
166 包括覆盖在沟槽中形成的选择栅上的控制栅的可编程结构
167 浅沟槽隔离结构的形成方法
168 使用沟槽结构的横向半导体器件及其制造方法
169 铝电解槽新型斜坡沟槽型阴极结构
170 浅沟槽隔离结构及其制造方法
171 浅沟槽隔离结构及其形成方法
172 浅沟槽隔离结构及其制造方法
173 一种新型的沟槽结构相变存储器
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光盘包含技术的目录如下(鉴于版面显示，我们仅列出前5项技术的摘要信息，更多信息将以光盘形式提供)：
序号 技术名称
1 形成浅沟槽隔离(STI)的方法及其结构
[技术摘要] 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法以减少应力改善电子迁移，其中该方法包括：提供一半导体基底，具有至少一图案化硬掩模层于其上；利用该至少一图案化硬掩模层进行干蚀刻制程以在该半导体基底中形成一沟槽；形成一或多个内衬层于该沟槽表面上，该内衬层可择自二氧化硅/氮化硅、二氧化硅/氮氧化硅、二氧化硅/氮化硅/氮氧化硅、氮化硅/氮氧化硅或氮氧化硅/氮化硅；形成一或多个沟槽填充材料层(例如：以二氧化硅回填充该沟槽)于内衬层上；进行热回*步骤以释放沟槽填充槽材料中所累积的应力；进行化学机械研磨以及干蚀刻制程以移除沟槽表面上多余的填充材料；以及移除该至少一图案化硬掩模层。
2 牵伸下罗拉的沟槽齿形结构
[技术摘要] 本发明涉及一种牵伸下罗拉的沟槽齿形结构，属于纺织机械技术领域。所述沟槽齿形是滚压轧制而成，沟槽齿形的截面外轮廓由罗拉外圆构成的齿顶弧长、与齿顶弧长光滑过渡连接的曲线以及与该曲线相切的齿底弧长构成。本发明牵伸下罗拉的沟槽齿形其沟槽工作面是光滑过渡，改善了皮辊磨损状况，延长皮辊的使用寿命，而且增加皮辊与罗拉沟槽工作面的接触面积，提高对纱线握持力，而且沟槽工作面与皮辊的握持力变化较为均匀，减少纺纱过程中的机械波，纺纱质量得到大幅度提高。
3 浅沟槽隔离结构的制备方法
[技术摘要] 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其利用三个刻蚀工艺形成一梯状的氮化硅形貌作为浅沟槽刻蚀的掩膜，使得后续浅沟槽内表面氧化时利用越薄的氮化硅对氧化的**性能越差，达到顶角圆滑化制备出较光滑的硅和氧化硅界面。
4 高温钛合金复杂沟槽结构面板与法兰液相扩散连接方法
[技术摘要] 本发明提供了一种高温钛合金复杂沟槽结构面板与法兰液相扩散连接方法，包括以下步骤：(1)对被焊件高温钛合金复杂沟槽结构面板和法兰进行焊前表面处理；(2)将中间层材料点焊于面板或法兰的表面；(3)将被焊件安装在焊接夹具上；(4)放置在真空炉内，被焊接件升温至连接温度后中间层材料熔化形成液态、保温，低于连接温度时中间层材料与被焊接件表面凝固，在凝固后扩散处理温度时保温，随炉冷却。使用本发明的方法，使中间层材料在连接温度下熔化形成液态并与被焊件之间发生快速扩散，在低于连接温度下保温进行凝固后扩散处理形成牢固的接头，从而实现了高温钛合金复杂沟槽结构面板与法兰的连接。
5 形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法
[技术摘要] 一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供依次带有垫氧化层和**阻挡层的半导体衬底；在**阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀**阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和**阻挡层为罩幕，刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；去除掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除**阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种形成浅沟槽的刻蚀方法。本发明在**阻挡层上形成刻蚀过程中保护**阻挡层的掩膜层，使刻蚀气体对**阻挡层不会产生影响，**阻挡层的厚度也不发生变化，从而使浅沟槽隔离结构的隔离效果提高。
6 在超高密度沟槽型功率器件设计中实现分阱结构的方法
7 一种形成浅沟槽隔离结构的方法
8 浅沟槽形成方法及浅沟槽结构
9 一种带有密封沟槽的机械密封结构
10 具有较低栅极电荷结构的沟槽MOSFET
11 浅沟槽隔离结构的保护方法及应用于其的保护层
12 浅沟槽隔离结构的制造方法
13 浅沟槽隔离结构平坦化性能检测方法
14 去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法
15 窄半导体沟槽结构
16 浅沟槽隔离结构的制造方法
17 浅沟槽结构及其填充方法
18 具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
19 用于使用多晶硅的沟槽DMOS器件的源极和本体连接结构
20 沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法
21 自对准沟槽累加模式场效应晶体管结构及其制造方法
22 一种CMOS浅沟槽结构及其制作方法
23 带放大栅极氧化物完整结构的半导体沟槽器件
24 包括沟槽电容器和沟槽电阻器的半导体结构
25 具有沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
26 混凝土轨枕承轨槽部位直坡沟槽挡肩结构
27 风扇衬套的油沟槽改良结构
28 具有沟槽介质结构的空气过滤装置及其过滤方法
29 浅沟槽隔离结构的制造方法
30 混合光学和电子束光刻制造层的共对准的沟槽结构及方法
31 浅沟槽隔离的沟槽形成方法和半导体结构
32 具表面弧形铣沟槽体的导线端子压著部结构
33 配线地板的沟槽铺片结构
34 在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
35 形成沟槽隔离结构的方法
36 隔离沟槽的结构及其制造方法
37 具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
38 制造浅沟槽隔离结构（STI）的方法
39 测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构
40 外*芯沟槽为可变式*芯结构
41 用于控制半导体结构中沟槽轮廓的技术
42 沟槽DMOS晶体管结构的制造方法
43 于深沟槽中形成浅沟槽隔离结构的方法及该方法的应用
44 浅沟槽隔离结构
45 掩模层与浅沟槽隔离结构的形成方法
46 采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构
47 浅沟槽隔离的形成方法及浅沟槽隔离结构
48 一种沟槽型功率晶体管的沟槽结构的形成方法
49 混合取向基板上用于嵌入的沟槽存储器的结构及制造方法
50 沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
51 具有沟槽栅极结构的半导体器件
52 具有*孔和沟槽二元结构的**滤嘴***纸
53 浅沟槽隔离结构、形成方法及研磨方法
54 浅沟槽隔离工艺方法及浅沟槽隔离结构
55 凹进的浅沟槽隔离结构氮化物衬垫及其制造方法
56 相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法
57 电抛光具有带虚设结构的沟槽或者通路的晶片上的金属层
58 制作浅沟槽隔离结构的方法
59 具铣沟槽体的导线端子压著部结构
60 制作沟槽半导体器件的方法及其结构
61 具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其方法
62 与CMOS兼容的浅沟槽e-熔丝结构及其制造方法
63 自对准浅沟槽隔离结构、存储器单元及其形成方法
64 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
65 放置千斤顶和工具的容器及用于放置该容器的沟槽结构
66 用于浅沟槽隔离的双制衬的方法与结构
67 改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构
68 包括沟槽中的纳米晶体存储元件的可编程结构
69 沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法
70 沟槽式分离栅只读性闪存存储单元结构形成方法以及操作方法
71 用于半导体装置的具有不同程度圆角的沟槽隔离结构及其制造方法
72 形成浅沟槽隔离结构的方法和浅沟槽隔离结构
73 制造浅沟槽隔离结构的方法和半导体器件
联
74 沟槽式金氧半晶体管结构及其制程系
75 一种浅沟槽隔离结构及制备该结构的制程电
76 带有沟槽结构的光波导话
77 小线宽沟槽型结构大功率MOS管制造方法0
78 一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法2
79 形成沟槽隔离结构的方法8
80 浅沟槽隔离结构的形成方法|
81 沟槽DMOS晶体管结构6
82 沟槽电容结构的制作方法6
83 前叉束仔沟槽*紧结构9
84 具有到上表面上漏极触点的低电阻通路的沟槽式双扩散金属氧化物半导体晶体管结构2
85 一种*纳深沟槽结构测量方法及装置3
86 具有改进沟槽结构的沟槽DMOS晶体管3
87 在其中具有扩大部分的沟槽隔离结构1
88 利用沟槽隔离形成的无闭*垂直瞬态电压抑制二极管阵列结构6
89 无沟槽隔离转角的非挥发性存储器结构90 具有SiGe Si沟道结构的功率沟槽MOSFET
1
91 一种可提高半导体器件性能的沟槽隔离结构制作方法8
92 自动裁切机用沟槽结构计长送膜辊9
93 用于连结到金属衬底的半导体衬底的通孔和沟槽结构8
94 形成用于沟槽栅器件的厚的底部电介质(TBD)的结构和方法2
95 超高密度沟槽MOSFET雪崩改进的结构1
96 沟槽MOS结构9
97 一种*纳深沟槽结构在线测量方法及装置0
98 浅沟槽隔离结构及其制造方法2
99 具有空腔的沟槽结构以及包括沟槽结构的电感器3
100 一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法0
101 带有M***结构和具有确定截面的被填充的隔离沟槽的SOI圆片102 半导体器件、浅沟槽隔离结构形成方法
103 蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置
104 浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体结构的研磨方法
105 深沟槽电容器结构的制造方法
106 作为热管毛细结构之覆盖式细*沟槽的制造方法
107 具有*孔和沟槽二元结构的**滤嘴***纸
108 用于形成**栅极沟槽FET的结构和方法
109 浅沟槽隔离结构的制造方法
110 沟槽应变抬升源 漏结构及其制造方法
111 沟槽电容结构
112 形成沟槽隔离结构的方法
113 绝缘结构及其形成方法、以及浅沟槽绝缘结构的形成方法
114 自对准沟槽MOSFET结构和制造方法
115 浅沟槽隔离结构的形成方法
116 用于形成具有包括氮化层的极间电介质的**栅沟槽FET的结构和方法
117 复合式化学机械研磨法与浅沟槽隔离结构的制造方法
118 浅沟槽隔离工艺中库伊效应的测试结构及**方法
119 浅沟槽隔离结构的形成方法
120 减少浅沟槽隔离结构电流泄漏的方法
121 沟槽结构半导体装置
122 浅沟槽隔离结构及其形成方法
123 具有耳廓形沟槽的迷宫密封结构
124 一种*纳深沟槽结构测量装置
125 增强的浅沟槽隔离结构及其制作方法
126 提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法
127 具有沟槽栅结构的半导体器件及其制造方法
128 沟槽电容结构及其制作方法
129 平面型沟槽功率电感结构与制造方法
130 填充高纵横比沟槽隔离区的方法和所得的结构
131 具有用沟槽结构分隔的*透镜阵列的图*传感器及制造方法
132 具有沟槽式毛细**的热管管身结构
133 浅沟槽隔离结构的制造方法
134 浅沟槽隔离结构的形成方法
135 一种沟槽机抬*装置的改进结构
136 沟槽式金属-绝缘层-金属电容结构与其形成方法
137 在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法
138 牵伸下罗拉的沟槽齿形结构
139 浅沟槽隔离结构的形成方法
140 浅沟槽隔离区形成方法、浅沟槽隔离区结构及膜层形成方法
141 不等深度*纳沟槽结构成形方法
142 带有*沟槽翅结构的毛细泵吸冷却装置及其制造方法
143 隔离沟槽的结构
144 深沟槽型功率MOS管静电保护结构制造方法
145 一种可改善*笑效应的沟槽隔离结构制作方法
146 梯形沟槽O环超高压密封结构
147 沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法
148 浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法
149 组合式水沟槽座结构
150 沟槽形栅极的MIS器件的结构和制造方法
151 用于形成沟槽隔离结构的方法
152 测量亚*米沟槽结构的方法
153 浅沟槽隔离结构及其形成方法
154 沟槽式电容器的结构及其制造方法
155 沟槽器件的自对准接触结构
156 具有沟槽边缘终端结构的半导体器件
157 *浅绝缘沟槽结构制备法
158 用于精确化深沟槽电阻测量的结构和方法
159 用于在沟槽栅极FET内形成横向延伸电介质层的结构及方法
160 用于SOC应用的高密度沟槽式非易失性随机访问SONOS存储单元的结构及制造方法
161 具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
162 高压组件的浅沟槽隔离结构的制造方法
163 形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法
164 具有沟槽结构的半导体器件及其制造方法
165 浅沟槽隔离结构的制造方法
166 包括覆盖在沟槽中形成的选择栅上的控制栅的可编程结构
167 浅沟槽隔离结构的形成方法
168 使用沟槽结构的横向半导体器件及其制造方法
169 铝电解槽新型斜坡沟槽型阴极结构
170 浅沟槽隔离结构及其制造方法
171 浅沟槽隔离结构及其形成方法
172 浅沟槽隔离结构及其制造方法
173 一种新型的沟槽结构相变存储器
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