击穿存储配方工艺技术专题资料光盘
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成都市
产品详情（成都市击穿存储厂家）
光盘编号：CC1139913
序号 技术名称
058 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
[摘要] 本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述离子注入区位于紧邻的绝缘层上；所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接。利用可编程电容被击穿时形成导通电阻，未击穿时仍为绝缘电容的特性以及二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现具有存储单元面积小，集成度高，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。
044 一种读隔离可编程存储器单元及其编程和读取方法
[摘要] 本发明公开了一种读隔离可编程存储器单元及其编程和读取方法，该读隔离可编程存储器单元包括：第一晶体管，包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一阱电压端；第二晶体管，包括第二离子注入区、第二栅极和第二阱电压端；第三晶体管，包括第三源极、第三漏极和第三栅极；第一晶体管的第一栅极与字线连接；第一晶体管的第一漏极与第二晶体管的第二离子注入区连接；第一晶体管的第一源极与编程位线连接；第二晶体管的第二栅极与源线连接；第三晶体管的第三漏极与读取位线连接；第一晶体管的第一阱电压端与第二晶体管的第二阱电压端连接。通过本发明防止数据编程时编程位线上高电压将与读取位线连接的晶体管击穿，提高了可编程存储器编程的可靠性。
064 防静电存储卡结构
[摘要] 一种防静电存储卡结构，应用于电子装置之上，该防静电存储卡结构包括一存储卡，该存储卡上设置有若干第一导电片，相对于存储卡该防静电存储卡结构还包括一存储卡插槽，该存储卡插槽设置于电子装置上，且与电子装置电性连接，该存储卡插槽内一侧面上设置有一接地导电片，该接地导电片和电子装置上的接地线连接，且该接地导电片上相对于存储卡上的第一导电片设置有若干可导电金属片，另外，相对于第一导电片于存储卡插槽内还设置有若干第二导电片，这些第二导电片与电子装置电性连接，通过上述结构可有效的防止静电放电的发生，避免电子装置上耐击穿电压低的电子器件被损坏。
025 可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法
[摘要] 本发明提供一种可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法，它是面对日益需求增加的逻辑区域运作速率的条件下，利用一剩余氮化层来保护记忆单元区域的埋入式掺杂区，以避免形成自动对准金属硅化物时，金属硅化物区域会造成所有埋入式位线短路，而影响到晶体管间的操作与电性，产生漏电流与击穿的情况产生，导致组件无法正常运作。
043 一次可编程存储器的结构及其制造方法
[摘要] 本发明提出了一种一次可编程存储器及其制造方法，上述制造方法至少包括以下步骤：步骤1，提供衬底，在上述衬底上形成隔离有源区的场区和阱，在有源区上方形成栅介质层，在栅介质层上形成多晶硅，从而形成多晶硅栅极，采用离子植入工艺植入形成MOS晶体管源极/漏极所需要的至少一种杂质，而后在多晶硅栅极侧面形成至少一个多晶硅侧壁电介质；步骤2，出MOS电容区域，在MOS电容区域再采用离子植入工艺植入与所在的阱反型的杂质，上述杂质与阱形成PN结并覆盖上述至少一种杂质。本发明与现有技术相比，可以解决现有技术中的误存储误读出以及晶体管栅介质易击穿的缺点，还可以缩小OTP存储器的面积。
017 具有电介质击穿可编程性的只读存储器阵列
018 反熔丝存储装置
016 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的智能卡
021 非易失性存储器件及其制造方法
005 PMOS只读存储器地址线装置
012 带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管
019 非易失性存储器件及其制造方法
034 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的控制器
010 与非逻辑非晶硅只读存储器结构及其制造方法
009 半导体存储装置及其数据写入方法
023 半导体装置、非易失性存储单元与其操作方法
014 利用超薄介质击穿现象的可再编程不挥发性存储器
057 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
008 电可擦可编程序只读存储器及其制造方法
039 确实编程程序单元的冗余控制电路及使用它的半导体存储器
045 一次性可编程存储器电路及其编程和读取方法
015 利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列
041 电熔丝电路、存储器器件和电子部件
011 半导体存储器件
033 沟槽式只读存储器存储单元的构造及其制造方法
036 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的射频电子标签芯片
035 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的接触式电子标签芯片
030 采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
022 非易失性存储单元及其阵列
006 高密度只读存储器地址线装置
056 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
026 一种基于电加工技术的相变存储器单元制备方法
003 具有双隧道结存储单元的存储器件
020 半导体浮栅存储单元
028 非易失性存储单元、存储单元矩阵和存储装置
027 非易失存储元件及其制造方法
055 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
以上64项技术包括在一张光盘内，售价230元，光盘编号：CC1139913。
免费货到付款。订购电话：028-66923316 18982190230 15328023369 QQ:459046209
备注：化工、冶金、材料、医药类的技术包括配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
序号 技术名称
058 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
[摘要] 本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述离子注入区位于紧邻的绝缘层上；所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接。利用可编程电容被击穿时形成导通电阻，未击穿时仍为绝缘电容的特性以及二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现具有存储单元面积小，集成度高，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。
044 一种读隔离可编程存储器单元及其编程和读取方法
[摘要] 本发明公开了一种读隔离可编程存储器单元及其编程和读取方法，该读隔离可编程存储器单元包括：第一晶体管，包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一阱电压端；第二晶体管，包括第二离子注入区、第二栅极和第二阱电压端；第三晶体管，包括第三源极、第三漏极和第三栅极；第一晶体管的第一栅极与字线连接；第一晶体管的第一漏极与第二晶体管的第二离子注入区连接；第一晶体管的第一源极与编程位线连接；第二晶体管的第二栅极与源线连接；第三晶体管的第三漏极与读取位线连接；第一晶体管的第一阱电压端与第二晶体管的第二阱电压端连接。通过本发明防止数据编程时编程位线上高电压将与读取位线连接的晶体管击穿，提高了可编程存储器编程的可靠性。
064 防静电存储卡结构
[摘要] 一种防静电存储卡结构，应用于电子装置之上，该防静电存储卡结构包括一存储卡，该存储卡上设置有若干第一导电片，相对于存储卡该防静电存储卡结构还包括一存储卡插槽，该存储卡插槽设置于电子装置上，且与电子装置电性连接，该存储卡插槽内一侧面上设置有一接地导电片，该接地导电片和电子装置上的接地线连接，且该接地导电片上相对于存储卡上的第一导电片设置有若干可导电金属片，另外，相对于第一导电片于存储卡插槽内还设置有若干第二导电片，这些第二导电片与电子装置电性连接，通过上述结构可有效的防止静电放电的发生，避免电子装置上耐击穿电压低的电子器件被损坏。
025 可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法
[摘要] 本发明提供一种可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法，它是面对日益需求增加的逻辑区域运作速率的条件下，利用一剩余氮化层来保护记忆单元区域的埋入式掺杂区，以避免形成自动对准金属硅化物时，金属硅化物区域会造成所有埋入式位线短路，而影响到晶体管间的操作与电性，产生漏电流与击穿的情况产生，导致组件无法正常运作。
043 一次可编程存储器的结构及其制造方法
[摘要] 本发明提出了一种一次可编程存储器及其制造方法，上述制造方法至少包括以下步骤：步骤1，提供衬底，在上述衬底上形成隔离有源区的场区和阱，在有源区上方形成栅介质层，在栅介质层上形成多晶硅，从而形成多晶硅栅极，采用离子植入工艺植入形成MOS晶体管源极/漏极所需要的至少一种杂质，而后在多晶硅栅极侧面形成至少一个多晶硅侧壁电介质；步骤2，出MOS电容区域，在MOS电容区域再采用离子植入工艺植入与所在的阱反型的杂质，上述杂质与阱形成PN结并覆盖上述至少一种杂质。本发明与现有技术相比，可以解决现有技术中的误存储误读出以及晶体管栅介质易击穿的缺点，还可以缩小OTP存储器的面积。
017 具有电介质击穿可编程性的只读存储器阵列
018 反熔丝存储装置
016 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的智能卡
021 非易失性存储器件及其制造方法
005 PMOS只读存储器地址线装置
012 带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管
019 非易失性存储器件及其制造方法
034 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的控制器
010 与非逻辑非晶硅只读存储器结构及其制造方法
009 半导体存储装置及其数据写入方法
023 半导体装置、非易失性存储单元与其操作方法
014 利用超薄介质击穿现象的可再编程不挥发性存储器
057 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
008 电可擦可编程序只读存储器及其制造方法
联
029 一种多晶硅存储元件及其制备方法系
051 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法电
052 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法话
032 式只读存储器的制造方法0
059 利用沟道热电子实现SONOS存储单元写操作的方法2
046 一种电阻存储器的激活操作方法8
049 一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法及应用|
047 电阻存储器的激活操作方法6
050 多个反熔丝存储器单元以及形成、编程和测试该器件的方法6
062 宽带隙半导体二极管作为选通管相变存储器及方法9
024 一种对胆甾相液晶所存储信息的擦除或写入方法2
054 一种具有P型浮空层的载流子存储槽栅IGBT3
060 一种基于垂直晶体管的磁性多层膜随机存储器3
004 以一次可编程熔断器/抗熔断器组合为基础的存储单元1
042 半导体存储器设备6
053 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法039 确实编程程序单元的冗余控制电路及使用它的半导体存储器
1
002 利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法及其电路8
038 利用击穿电压的半导体存储单元薄氧化层的测试方法9
061 存储器8
048 具有凹口浮动栅以及分级源区的可缩放的快闪EEPROM存储元件及其制造方法2
001 用熔丝/抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器1
037 改良型掩膜式只读存储器工艺与元件9
013 磁随机存取存储器大阵列的写入电路0
040 半导体存储器件2
007 非挥发性集成铁电薄膜存储器3
031 调整快闪存储单元启始电压的方法0
063 非易失性存储元件以及非易失性存储装置045 一次性可编程存储器电路及其编程和读取方法
015 利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列
041 电熔丝电路、存储器器件和电子部件
011 半导体存储器件
033 沟槽式只读存储器存储单元的构造及其制造方法
036 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的射频电子标签芯片
035 具有利用超薄介质击穿现象的存储器的接触式电子标签芯片
030 采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
022 非易失性存储单元及其阵列
006 高密度只读存储器地址线装置
056 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
026 一种基于电加工技术的相变存储器单元制备方法
003 具有双隧道结存储单元的存储器件
020 半导体浮栅存储单元
028 非易失性存储单元、存储单元矩阵和存储装置
027 非易失存储元件及其制造方法
055 一次性可编程存储器、制造及编程读取方法
以上64项技术包括在一张光盘内，售价230元，光盘编号：CC1139913。
免费货到付款。订购电话：028-66923316 18982190230 15328023369 QQ:459046209
备注：化工、冶金、材料、医药类的技术包括配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。
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