CER-DIP/陶瓷直插
CHIP/小型片状
LLCC/无引线陶瓷片载
P-DIT/塑料双列直插
SMD(SO)/表面封装
SP/特殊外形
WAFER/裸芯片
IR/国际整流器
ON/安森美
Toshiba/东芝
NEC/日本电气
Sanyo/三洋
Vishay/威世通
Hitachi/日立
Philips/飞利浦
Rohm/罗姆
PANASONIC/松下
Motorola/摩托罗拉
FREESCALE/飞思卡尔
AOS/美国万代
FUJI/富士通
IXYS/艾赛斯
KEC
NXP/恩智浦
AO
CET/华瑞
RENESAS/瑞萨
SHINDENGEN/新电元
ADV美国先进半导体
AEG美国AEG
AEI英国联合电子
AEL英德半导体器件
ALE美国
Alpha/阿尔法
AME挪威微电子
AMP美国安派克斯
AMS美国微系统
APT美国先进功率
ATE米兰ATES
ATT美国电话电报
AVA美德先进技术
BEN美国本迪克斯
BHA印度Bharat
Calogic美国
CDI印度大陆器件
CEN美国中央半导体
Clevite美国
Collmer美国
CRI美国克里姆森
CSA美国CSA工业
CTR美国通信晶体管
DIC美国狄克逊
DIO美国二极管
Directed美国
Ditratherm德国
ETC美国电子晶体管
FCH美国范恰得
Federick美国
FER英德费兰蒂
FJD日本富士电机
FUM美国富士通微电子
GEC美国詹特朗
GEN美国通用电气
GEU加拿大Gennum
GPD美国锗功率器件
HARRIS/哈里斯
HFO德国VHB联合企业
HSC美国Hellos
IDI美国国际器件
INJ日本国际器件
InterFET美国
IPRS罗德
ISI英国英特锡尔
ITT德国楞茨标准电气
IXY美国电报半导体
KOR韩国电子
KYO日本东光
LTT法国电话
LUC英德LUCCAS编号
MAC美国M/A康姆
Mallory美国
MAR英国马可尼
MAT日本松下
Mcrwve美国
MIC香港微电子
Mistral德意
MITSUBISHI/三菱
MUL英国马德拉
NAS美德北美半导体
NEW英国新市场晶体管
NIP日本日电
NJR日本新日本无线电
NS/国半
NUC美国核电子产品
OKI日本冲电气工业
Omnirel美国
OPT美国Optek
ORG日本欧里井
PIS美国普利西
Poryfet美国
POW美国何雷克斯
PTC美国功率晶体管
RAY美德雷声半导体
REC美国无线电
RET美国雷蒂肯
RFG美国射频增益
RTC法德无线电
SAK日本三肯
Samsung/三星
SAN日本三舍
SEL英国塞米特朗
SEM美国半导体
SES法国巴黎斯
SGS法意电子
SHI日本芝蒲
SIE德国西门子AG
SIG美国西格尼蒂克斯
SIL美德硅技术
SML美德塞迈拉布
SOL美德固体电子
SON日本萦尼
SPE美国空间功率
SPR美国史普拉格
SSI美国固体工业
ST/意法
STC美国硅晶体管
STI美国半导体技术
SUP美国超技术
Teledyne美德
TEL德国德律风根
TES捷克Tesla
THO法国汤姆逊
TIX美国德州仪器
TOG日本东北金属工业
TOY日本罗姆
TRA美国晶体管
TRW英德TRN半导体
UCA英德联合碳化物
UNI美国尤尼特罗德
UNR波兰外资企业
VAL德国凡尔伏
WAB美德Walbern
WES英国韦斯特科德
YAU日本GENERAL
ZET英国XETEX
FAIRCHILD/仙童
INFINEON/英飞凌
其他
ALGaAS铝镓砷
GaAS-FET砷化镓
GE-N-FET锗N沟道
GE-P-FET锗P沟道
HEMT高电子迁移率
IGBT绝缘栅比极
MES金属半导体
N-FET硅N沟道
P-FET硅P沟道
SB肖特基势垒栅
SENSEFET电流敏感
SIT静电感应
A/宽频带放大
AM/调幅
CC/恒流
CHOP/斩波、限幅
C-MIC/电容话筒专用
D/变频换流
DC/直流
D-G双栅四极
DIFF/差分放大
DUAL/配对管
FM/调频
GEP/互补类型
HA/行输出级
HF/高频(射频)放大
HG/高跨导
HI-IMP/高输入阻抗
HI-REL/高可靠性
L/功率放大
LMP-C/阻抗变换
MAP/匹配对管
MIN/微型
MIX/混频
MOS-ARR/陈列组件
MOS-FBM/全桥组件
MOS-HBM/半桥组件
MOS-INM/独立组件
MOS-TPBM/三相桥
MW/微波
NF/音频(低频)
O/振荡
S/开关
SW-REG/开关电源
SYM/对称类
TC/小型器件标志
TEMP/温度传感
TR/激励、驱动
TUN/调谐
TV/电视
UHF/超高频
UNI/一般用途
V/前置(输入级)
VA/场输出级
V-FET/V型槽MOS
VHF/甚高频
VID/视频
VR/可变电阻
ZF/中放
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