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单晶铜键合丝替代键合金丝应用到微电子中的封装业,如大规模集成电路、超大规模集成电路和甚大规模集成电路、二极管、三极管等半导体分立器件及LED灯发光芯片封装业等。在日益激烈竞争的电子工业中,高成本效益,已不能满足集成电路封装业的发展,为了降低成本,国内外众多产业领域在寻找一种更便宜的导体替代昂贵的金丝材料。单晶铜键合丝具有机械、热学、电学性能优良及其化合物增长慢等特性。在特定条件要求下,线径可以减小到一半,单晶铜键合丝高的拉伸率、剪切强度,可以有效降低丝球焊过程中可能发生的丝摆、坍塌等现象,有效缓解了采用直径小的一些组装难度。在很大程度上提高了芯片频率和可靠性,适应了低成本、细间距、高引出端元器件封装的发展。南通富士通、天津摩托罗拉、上海英特尔、苏州英飞凌、天水华天科技等国内较大的集成电路封装测试企业一开始试用单晶铜键合丝运用于IC封装技术的发展,晶片上的铝金属化层更换为铜金属化层,因为在晶片的铜金属化层上可以直接焊接,而不需要像铝金属化层那样加一层金属焊接层,这不但能增强器件特性还能降低成本,同时,在工艺上,逐渐将传统的金丝更换为单晶铜键合丝,解决细间距的器件封装,对器件超细间距的要求成为降低焊丝直径的主要驱动力。因而,在今后的大规模集成电路、超大和甚大规模集成电路封装业种,单晶铜丝球焊技术是目前国际上正在兴起的用于微电子器件芯片内引线连接的一种高科技创新技术,今后在球焊技术工艺中比将成为主流技术。单晶铜键合丝作为键合引线材料是现在和将来电子封装业的必然趋势。此外,由于黄金价格的上涨,更加快着单晶铜键合丝代替键合金丝的步伐,所以,单晶铜键合丝无论在国内外还是现在和将来都具有非常大的潜在市场和巨大的发展商机。
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